【技术实现步骤摘要】
概括地说,本专利技术属于集成电路领域,更具体地说,本专利技术涉及应用于具有亚微米线度的超大规模集成电路的一种绝缘工艺方法。在集成电路技术中,有必要将有源器件的有源区(或称“壕状区”(moat regions))互相隔开。在使用MOS工艺的大规模集成电路和超大规模集成电路中,通常是采用LOCOS(硅的局部氧化)的方法来完成有源区的绝缘的。为实施LOCOS方法,要使用一种在一块薄的氧化物块的表面上的呈一定图案的氮化物,把将作为壕状区的硅基片区域覆盖住。通过将硅基片的未覆盖区域暴露在一高温氧化环境之中,使仅仅在被暴露的区域内才能形成一个相对较厚的场氧化物(field oxide)。然而,该LOCOS工艺不仅在被暴露的硅区域的竖直方向上形成场氧化物,而且,该氧化物还在氮化物掩膜边缘下面的横向生长。氮化物下面的该横向氧化物侵蚀被称为“鸟嘴状”(birds-beak),它的厚度可以长到约为氧化物厚度的一半;因此,在这种绝缘工艺中有效区域受到了浪费。就标准的LOCOS方法而言,为了要减小“鸟嘴状”,场氧化物的厚度必须适当减小,不然的话,剩下的“壕状区”对于有源器件的生产就不够了。但是,场氧化物厚度的减小将降低电路的性能,这是因为相互连接电容增加了。此外,对于通过场氧化物加在一导体之上的一给定电压来说,随着氧化物厚度的减小,场氧化物下面的“壕状区”之间的漏电流迅速增加,导致了相邻区之间的绝缘变差。在标准LOCOS工艺中,已发展了几种减少氧化物侵蚀量的绝缘工艺。在一种称之为SWAMI(侧壁掩蔽绝缘)的方法中,使用一种硅蚀剂和侧壁氮化物层(形成在凹进去的硅区域的侧面 ...
【技术保护点】
在由窄的和宽的凹槽分隔的半导体基片中绝缘区域的方法,它包括:仅只在宽的凹槽中生长第一场氧化物;在基体上沉积一第二场氧化物区,将窄凹槽和宽凹槽的任何剩下的未填满部分填上。
【技术特征摘要】
US 1986-7-7 882,732中所提出的而外,本发明的范围将不受任何限制。权利要求1.在由窄的和宽的凹槽分隔的半导体基片中绝缘区域的方法,它包括仅只在宽的凹槽中生长第一场氧化物;在基体上沉积一第二场氧化物区,将窄凹槽和宽凹槽的任何剩下的未填满部分填上。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述基体由一氧化物垫层和一氮化物层所覆盖,然后,在所述第一场氧化物长出以前蚀刻所述基片,以便给宽凹槽的底部提供缝隙。3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述基片被一氧化物垫层,一多晶硅层和一氮化硅层所覆盖,进一步包括在所述第一场氧化物生长出来以前,蚀刻所述层,以便在宽凹槽内给基片提供缝隙。4.根据权利要求2所述的方法,其中,所述蚀刻是各向异性的。5.根据权利要求3所述的方法,其中,所述蚀刻是各向异性的。6.在硅基片中制备集成电路的绝缘区域的方法,它包括,将所述基片的预定部分用第一场氧化物层覆盖起来;用第一氮化硅层将所述第一氧化物层覆盖;从所述第一氧化物和第一氮化物层至所述基片蚀刻宽和窄凹槽,以形成与所述凹槽相邻的壕状区;在所述基片上沉积上一层第二氮化物层;蚀刻所述宽凹槽以便在所述宽凹槽底部的贯穿所述第二氮化物层,开设一条缝隙;在所述宽凹槽内的由所述缝隙所暴露的区域上生长第一场氧化物;沉积第二场氧化物层,将所述窄凹槽和所述宽凹槽的剩余部分填上;将所述第二场氧化物层平整至大约达到与所述凹槽的顶部边缘相平的高度,从而在所述壕状区间形成绝缘区。7.根据权利要求6所述的方法,进一步包括在所述第一氧化物层和所述第一氮化硅层之间形成一多晶硅层。8.根据权利要求6所述的方法,进一步包括在沉积上所述第二氮化物层之前,生长第二氧化物层以覆盖所述凹槽的侧壁。9.根据权利要求6所述的方法,进一步包括在所述第二氮化硅层上沉积上第二氧化物层,以便将所述窄凹槽填上,并至少部分地将所述宽凹槽填上。10.根据权利要求9所述的方法,其中,在所述宽凹槽内的所述第一场氧化物长出之前,将所述第二氧化物层的残余量除去。11.根据权利要求6所述的方法,进一步包括在沉积上所述第二场氧化物层之前,将所述第一和第二氮化硅层除去。12.根据权利要求6所述的方法,其中,所述凹槽将被蚀刻至约5000埃深。13.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第二场氧化物层的厚度约为10000埃。14.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第一场氧化物层的厚度约为10000埃。15.在单晶硅基片中制备集成电路绝缘区的方法,它包括用一氧化物垫层将所述基片的一预定部分覆盖;在所述氧化物垫层上形成一第一氮化硅层;从所述氧化物垫和第一氮化物层至所述基片对宽的和窄的凹槽进行蚀刻以形成与所述凹槽相邻的壕状区;生长第一侧壁氧化物层,将所述凹槽的侧壁覆盖;沉积上一第二氮化...
【专利技术属性】
技术研发人员:理查德A恰普曼,克莱伦斯邓万生,
申请(专利权)人:得克萨斯仪器公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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