一种在中心单元与远地单元之间通过共用一连接体的不同传输双绞线协调甚高速双向数据传输的方法被描述。更确切地说，周期同步的上行和下行通信周期被提供以便使其不相互重叠。共用一连接体的所有线的上行和下行通信的周期被同步。通过这种方案，所有同一连...

一种ＴＴＬ型门高到低跃变加速电路，其中输入晶体管［１４］随着在端点［１０］的输入电压的跃变可在高及低阻抗状态变化．输出晶体管［１６］耦合到输入晶体管［１４］并随着在端点［１０］处的输入跃变而改变阻抗状态．包括加速晶体管［４４］的电路耦合...

本跃变加速电路包括：一输入晶体管接受可变输入电压，一输入晶体管接在输入晶体管上接受接通电流，第一二极管在负极与输入晶体管集电极相连，电阻接在二极管正极和输出端间，加速晶体管发射极与输入晶体管集电极相连以使经输入晶体管向输出晶体管提供加速...

在被诸如氧化物之类的绝缘体完全包围的一个薄的外延岛中制成水平结构晶体管．该晶体管具有从同一掩模扩散到岛中的基极区和发射极区，从而使基极的宽度是可控的并且相对于发射极来说保持不变．多晶硅基极接触位于岛的顶部之上并通过氧化层与发射极区和集电...

一种改善栅氧化层完整性并能埋置接点的集成电路制造工艺．为保证在薄的栅氧化层里蚀刻出孔，以保证埋置接点时栅氧化层的完整性，蚀刻前，最好在栅氧化层形成后尽快在其上另外淀积一层没有图案的多晶硅层，埋置接点的掩模便用于形成二级蚀刻．为进而保证栅...

在随机存取存贮器列阵中用作寻址存贮单元的布线包括被划分成多个段的位线对．在其同成对的位线的两根耦联的每一端都有读出放大器，字线对耦联在各根位线上的存贮单元寻址．当一对存贮单元读出时位线断开，使一个存贮单元经过位线耦联到读出放大器上．存贮...

一种利用最小数量掩膜板的双阱互补型金属氧化物半导体工艺来制造诸如动态读写存贮器等的半导体器件．在氮化物构成的凹口里形成场氧化物隔离区，因而提供一个比较平坦的表面，并且使产生的侵蚀最少．用硅化、离子注入，源极／漏极区、对栅的自对准、在侧壁...

这里揭示的是动态随机存取贮器（ｄＲＡＭ）单元和单元阵列，连同它们的生产方法，单元包括一个场效应管，一个在衬底的沟内形成的贮能电容器和在衬底上用外延生长法形成的场效应管子沟道．场效应管的源极和漏极同衬底绝缘．管子应该靠近沟或在沟侧壁的上半...

一种自测试超大规模集成电路包括完成超大规模集成电路器件基本功能的功能块．具有内部图形发生器以便在测试控制器的控制下产生预定的图形．测试控制器响应通过接口电路从外部控制总线接收的外部信号执行预定测试程序．功能块的输出被输入到识别电路将其输...

本发明实施例中包括一种垂直倒相器（３１，３２，３３）．在一块Ｎ型衬底的表面，形成一层Ｐ型材料层，再依次形成一层Ｎ型层；一层Ｐ型层；一层Ｎ型和一层Ｐ型层（在制备过程中，可以掺各种不同的杂质，这并不超出本发明的范畴）．再沿着以上述方法形成的...

在氮气氛中对暴露的壕和栅极区作自对准硅化时全面形成导电的氮化钛层．对该层制作图形以提供有数量级为每方１０欧姆的薄膜电阻的局部互连并允许接触与壕边界有偏差．因局部互连层能从壕向向上叠加到场氧化物以对接触孔提供底部接触和扩散阻挡层，该孔在以...

一种得到非常平滑的多晶硅１层／层间绝缘层／多晶硅２层的界面．本质上，多晶硅１层１８是无定形相的ＬＰＣＶＤ的沉积层和用注入掺杂的．这以后沉积一种适当的绝缘层２０，接着多晶硅１层１８在约１０００℃温度下重结晶．然后，用ＬＰＣＶＤ沉积多晶硅２...

一种通过提供几乎平滑的表面而避免由应力引起的缺陷的多凹槽绝缘工艺。在硅基片１０上形成图案并蚀刻之，产生有源壕状区１８和凹槽（２０ａ—ｂ和２１ａ—ｂ）。使用ＬＯＣＯＳ方法在宽凹槽区２１内生长场氧化物４０，从而用氧化物将凹槽填上，并在窄凹槽...

同时制作双极型和ＣＭＯＳ晶体管的集成工艺。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，结合步骤形成ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅步骤。多晶硅被重掺杂以形成ＭＯＳ晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至...

本发明揭示了一种双极型晶体管，及其与ＭＯＳＦＥＴ器件兼容的制造方法。晶体管本征基区（５４）形成于半导体阱（２２）的表层，并被一层栅氧化层（４４）覆盖。栅氧化层（４４）上开出窗口，并且其上淀积掺杂多晶硅，形成与基区（５４）接触的多晶硅发射...

在半导体基片２０内形成一条沟槽，该沟槽内填入多晶硅以形成存储电容器的一个极板３４，基片２０用作该电容器的另一极板，沟槽的其余部分随后填有二氧化硅３８，随后在二氧化硅上蚀刻图形，露出一部分侧壁直至多晶硅电容器极板，随后在多晶硅电容器极板和...

一种得到非常平滑的多晶硅１层／层间绝缘层／多晶硅２层的界面，本质上，多晶硅１层１８是无定形相的ＬＰＣＶＤ的沉积层和用注入掺杂的，这以后沉积一种适当的绝缘层２０，接着多晶硅１层１８在约１０００℃温度下重结晶，然后，用ＬＰＣＶＤ沉积多晶硅２...

在氮气氛中对暴露的壕和栅极区作自对准硅化时全面形成导电的氮化钛层。对该层制作图形以提供有数量级为每方１０欧姆的薄膜电阻的局部互连并允许接触与壕边界有偏差。因局部互连层能从壕向上叠加到场氧化物以对接触孔提供底部接触和护散阻挡层，该孔在以后...

在半导体基片２０内形成一条沟槽，该沟槽内填入多晶硅以形成存储电容器的一个极板３４，基片２０用作该电容器的另一极板，沟槽的其余部分随后填有二氧化硅３８，随后在二氧化硅上蚀刻图形，露出一部分侧壁直至多晶硅电容器极板，随后在多晶硅电容器极板和...

双极型和ＣＭＯＳ晶体管。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，形成ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅。多晶硅被重掺杂以形成ＭＯＳ晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集...