动态随机存取存储单元制造方法技术

在半导体基片２０内形成一条沟槽，该沟槽内填入多晶硅以形成存储电容器的一个极板３４，基片２０用作该电容器的另一极板，沟槽的其余部分随后填有二氧化硅３８，随后在二氧化硅上蚀刻图形，露出一部分侧壁直至多晶硅电容器极板，随后在多晶硅电容器极板和该基片之间形成接触５０，通过氧化形成栅极绝缘体，漏极在与沟槽开口相邻的沟槽表面形成，随后在沟槽开孔部分内形成导电材料５４，由此形成把存储电容器之一连接至漏极区２４的晶体管。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种形成存储单元的方法，包括：在基片中形成沟槽，用介电材料覆盖所述的沟槽的表面，用导电材料填入所述的沟槽，蚀刻所述的导电材料使导电材料的高度降低到所述的沟槽之内，用绝缘材料填满所述沟槽的其余部份，在所述的沟槽开口处形 成掺杂漏极区，产生露出所述沟槽一部分边缘的蚀刻掩膜，采用非均匀蚀刻工艺蚀刻所述的绝缘材料直至所述的导电材料，在基片中形成源极区，所述源极区和所述的导电材料有电气接触，在由所述的进入绝缘材料的蚀刻所暴露出的沟槽的侧壁部分上形成 栅极绝缘层，以及，用栅极导电材料填充所提供的开孔，以提供控制所述的源极区和所述的漏极区之间导通的栅极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：克拉伦斯腾万生，罗伯特阿都灵，阿斯维应海沙夏，
申请(专利权)人：得克萨斯仪器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]