光响应阵列制造技术

一种感测多个位置电磁辐射强度的阵列中应用光电和非光响应二极管网络。各光电二极管的一端接到阵列一端的公共线。非光响应二极管接成同极性串联。各光响应二极管的第二端接到串联连接串中非光响应二极管的一个不同连结点。用斜坡电压扫描该阵列，每一电流变化表示一光电二极管受照情况。用单晶半导体和非晶、多晶半导体薄膜，如非晶硅和电沉积含碲化镉半导体，易于制成单片式阵列而不存在大量相交迭的导体。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种感测多个位置中的每一位置处电磁辐射强度的阵列，它包括：多个电响应于入射辐射的光响应二极管（１、３、５、７、９），每一所述光响应二极管具有第一极性的第一端和与所述第一极性相反的第二极性的第二端；以及多个在一方向比另一方向更易导电且 基本上不电响应于入射辐射的非光响应二极管（１１、１３、１５、１７、１９），每一所述非光响应二极管具有所述第一极性的第三端和所述第二极性的第四端；所述阵列的特征在于：所述那些光响应二极管的所述第一端均电连接在一起以形成所述阵列的一端（２１ ），而所述那些光响应二极管的每一所述第二端电连接到那些所述非光响应二极管中一个的所述第四端，所述多个非光响应...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：米罗斯拉夫翁德里斯，
申请(专利权)人：OIS光学成象系统有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]