水平结构晶体管及其制作方法技术

在被诸如氧化物之类的绝缘体完全包围的一个薄的外延岛中制成水平结构晶体管．该晶体管具有从同一掩模扩散到岛中的基极区和发射极区，从而使基极的宽度是可控的并且相对于发射极来说保持不变．多晶硅基极接触位于岛的顶部之上并通过氧化层与发射极区和集电极区相隔离．此水平结构晶体管很容易把互补的双极型晶体管和互补的ＩＧＦＥＴ器件制作在同一衬底上．（*该技术在2005年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种晶体管结构［２０，６８］，包括：一个衬底；一个覆盖在上述衬底的一个面上的绝缘层［２２］；一个位于上述绝缘层［２２］中的第一导电类型的外延硅的岛［２４，７０］，其具有一个实际上与上述绝缘层［２２］的位于背离上述衬底方向上的面共 平面的上部表面和一个实际上与该面平行并对上述衬底留有一走向隔的下部表面，其中，上述岛的所有各边和下部表面之下的部分均被上述绝缘层［２２］所包围；沿着上述岛［２４，７０］的第一边置放在该岛中的和将该岛填满在上部表面和下部表面之间的第一导电 类型的第一重掺杂区［２６，８４］；沿着上述［２４，７０］的第二边置放在该岛中的第一导电类型的第二重掺区［２８，８６］；其中，上述第二边位于上述第一边的对面，同时其中，第二边将上述岛［２４，７０］填满在上部表面和下部表面之间；同时置放 在与上述第一掺杂区［２６，８４］相邻处并将岛［２４，７０］填在上部表面和下部表面之间的第二导电类型［３４，８０］的第三区。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴维B斯伯特，詹姆斯D琼拉瑞，爱尔顿J赞雷斯基，
申请(专利权)人：得克萨斯仪器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]