双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺制造技术

同时制作双极型和ＣＭＯＳ晶体管的集成工艺。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，结合步骤形成ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅步骤。多晶硅被重掺杂以形成ＭＯＳ晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和ＭＯＳ晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制作双极型晶体管的方法，包括下列步骤：在基片上形成一由场绝缘体围绕的半导体池，在所述的半导体池中形成基极、发射极和集电极半导体区，形成一个覆盖在所述的发射极区上的导电多晶硅层，形成与每一所述的基区、多晶硅和集电极区接触的 金属条带，所述的多晶硅在所述的场绝缘体上横向延伸，使所述的金属起反应以形成导电硅化物接触条带，以及，形成与每一所述的的硅化物接触条带相接触的端电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：拉杰夫让沙夏，托安特兰，
申请(专利权)人：得克萨斯仪器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]