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一种通过提供几乎平滑的表面而避免由应力引起的缺陷的多凹槽绝缘工艺。在硅基片１０上形成图案并蚀刻之，产生有源壕状区１８和凹槽（２０ａ—ｂ和２１ａ—ｂ）。使用ＬＯＣＯＳ方法在宽凹槽区２１内生长场氧化物４０，从而用氧化物将凹槽填上，并在窄凹槽区２...
该专利属于得克萨斯仪器公司所有，仅供学习研究参考，未经过得克萨斯仪器公司授权不得商用。

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