【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种串行检测集成电路中RAM生产缺陷的方法，其特征在于，串行测试一个芯片上选定的同类型的多个RAM，该方法包括以下步骤：1）对当前RAM所有地址各位写入0；在以下的步骤中以地址为操作对象，且此后各步骤在当前地址完成当前步骤的测试后进入下一地址的测试，直到遍历整个RAM后进入下一个步骤的测试，当前RAM完成预定的所有测试步骤后进入下一RAM的测试，直至完成当前芯片上选定的所有RAM的测试：2）读取当前RAM当前地址存放的值，若含有1的位，则终止检测，报错；若全是0位，则对该地址各位写入1，然后读取该地址存放的值，若含有0的位，则终止检测，报错；若全是1位，则对该地址各位写入0，然后读取该地址存放的值，若含有1的位，则终止检测，报错；若全是0位，则对该地址各位写入1；3）读取当前RAM当前地址存放的值，若含有0的位，则终止检测，报错；若全是1位，则对该地址各位写入0，读取该地址存放的值，若含有1的位，则终止检测，报错；若全是0位，则对该地址各位写入1。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵阳，张洪柳，孙晓宁，刘大铕，王运哲，刘守浩，
申请(专利权)人：山东华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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