半导体存储装置及其测试电路制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
本专利技术的示例性实施例总体而言涉及ー种半导体集成电路，具体而言涉及ー种半导体存储装置及其测试电路。
技术介绍
通常，当将数据写入半导体存储装置的存储器単元吋，经由输入/输出焊盘输入的数据由写入驱动器写入存储器単元。另外，当从存储器单元读取数据时，存储器単元中的数据被传送至感测放大器,并经由输入/输出焊盘输出放大的数据。图1是一般的半导体存储装置的配置图。如图1所示，半导体存储装置100包括存储器单元阵列101、地址输入缓冲器103、预译码器105、列译码器107、块译码器109、行译码器111、数据输入和输出缓冲器113、感测放大器115、写入驱动器117以及控制器120。存储器单元阵列101包括连接在字线与位线之间的多个存储器単元。地址输入缓冲器103接收外部地址，且将接收到的外部地址转换成内部地址。预译码器105对内部地址进行初次译码，然后将初次译码的内部地址提供给列译码器107、块译码器109和行译码器111。列译码器107根据预译码结果来选择要存取的字线。块译码器109根据预译码结果来选择要存取的块。同样地，行译码器111根据预译码结果来选择要存取的位...
【技术保护点】
一种半导体存储装置，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列被配置成包括多个存储器单元；开关单元，所述开关单元被配置成与数据输入和输出焊盘耦接，且响应于测试模式信号来控制施加至所述数据输入和输出焊盘的数据的数据传输路径；写入驱动器，所述写入驱动器被配置成在正常模式下驱动从所述开关单元传送的数据，并将所述数据写入所述存储器单元阵列中；以及控制器，所述控制器被配置成在测试模式下将来自所述开关单元的数据传送至所述存储器单元。
【技术特征摘要】
2011.11.04 KR 10-2011-01144301.一种半导体存储装置，包括: 存储器单元阵列，所述存储器单元阵列被配置成包括多个存储器単元； 开关单元，所述开关単元被配置成与数据输入和输出焊盘耦接，且响应于测试模式信号来控制施加至所述数据输入和输出焊盘的数据的数据传输路径； 写入驱动器，所述写入驱动器被配置成在正常模式下驱动从所述开关单元传送的数据，并将所述数据写入所述存储器单元阵列中；以及 控制器，所述控制器被配置成在测试模式下将来自所述开关单元的数据传送至所述存储器单元。2.按权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述控制器包括双向存取控制単元，所述双向存取控制単元被配置成响应于所述测试模式信号而经由第一局部输入和输出线将从所述数据输入和输出焊盘传送的数据提供给所述存储器单元阵列。3.按权利要求2所述的半导体存储装置，其中，所述双向存取控制単元被配置成响应于所述测试模式信号而经由第二局部输入和输出线将从所述数据输入和输出焊盘传送的数据提供给所述存储器单元阵列。4.按权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述开关単元与处在所述数据输入和输出焊盘与所述写入驱动器之间、或处在所述输入和输出焊盘与所述控制器之间的全局输入和输出线耦接。5.按权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述双向存取控制単元与处在所述开关单元与所述存储器单元阵列之间的所述第一局部输入和输出线以及所述第二局部输入和输出线I禹接。6.按权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述存储器単元利用电流驱动方案来执行数据的读取/写入。7.按权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述存储器单元是阻变存储器単元。8.一种半导体存储装置，包括: 存储器单元阵列，所述存储器单元阵列被配置成包括多个存储器単元，所述多个存储器单元耦接在位线与源极线之间且由施加至字线的电位驱动；以及 双向存取控制単元，所述双向存取控制単元被配置成响应于所述测试模式信号而直接将施加至数据输入和输出焊盘的数据从所述存储器単元的所述位线传送至所述源极线，或直接将施加至所述数据输入和输出焊盘的数据从所述存储器単元的所述源极线传送至所述位线。9.按权利要求8所述的半导体存储装置，还包括写入驱动器，所述写入驱动器被配置成在所述正常模式下通过接收施加至所述数据输入和输出焊盘的数据而被驱动，并将所述数据写入所述存储器单元阵列中。10.按权利要求9所述的半导体存储装置，还包括开关单元，所述开关単元...
【专利技术属性】
技术研发人员：李宰雄，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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