聚焦误差检测系统及光读出和／或写入设备技术方案

一个位敏辐射检测器（１），它在一平面表面上包括至少两个相邻的反偏辐敏二极管，该检测器（１）包括一偏置电路（２０），用以在二极管两端上建立反向电压的差值，以调节二极管辐敏区之间的边界（１５）。为了调节边界（１５）相对于辐射束入射到检测器（１）上地点的位置，可用由辐射束在辐敏二极管中所产生的光电电流，以将边界的实际位置和所需的边界位置相比较。位敏辐射检测器（１）特别适用于光读出和／或写入设备的聚焦误差检测系统中。（*该技术在2007年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种辐敏半导体器件，该半导体器件包括一半导体本体和一电路，该半导体本体在一基本平坦的表面上提供至少两个子元件，该子元件构成辐敏的二极管，二极管与半导体本体部分毗邻，子元件间的距离应足够小，以使子元件间的半导体本体因在二极管两端加上一反向电压而完全被耗尽区耗尽，以便抑止子元件间的电荷转移;该电路用以在辐敏二极管两端施加反向电压，以及用以检测在该耗尽区所组成的二极管辐敏区中由辐射所产生的光电电流。上述类型的辐敏半导体器件例如被用于图像再现的光敏电路装置中和用于跟踪或定位光束(或一种不同类型的辐射束)的设备中。其他的辐射检测应用属于光谱分析的范围，特别是从200-1100毫微米的波长范围和例如软X射线的波长中。此外，这样的器件被用以检测微粒子辐射(例如电子α粒子或高能粒子)。另外，这样的半导体器件(具体地说是在可见光的波长范围内)被用在测量定位检测设备，例如用于弯曲测量或例如用于自动装配线中。本专利技术还涉及装有这样一种辐敏检测器的聚焦误差检测系统，也涉及在一记录载体的辐射记录表面中用以读出和/或记录信息的装有这样一种聚焦误差检测系统的设备。一种在开头一段所规定的半导体器件是从本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辐敏半导体器件，该半导体器件包括一半导体本体和一电路，该半导体本体在一基本平坦的表面上提供至少两个了元件，该子元件构成辐敏二极管，二极管间有毗邻的半导体本体部分，子元件间的距离应足够小，以使子元件间的半导体本体因在二极管两端加上一反向电压而完全被耗尽区耗尽，以便抑止子元件间的电荷转移；该电路用以在辐敏二极管两端施加反向电压，以及用以检测在该耗尽区所组成的二极管辐敏区中由辐射所产生的光电电流；该辐敏半导体器件的特征在于该电路包括根据一控制信号将不同反向电压施加在二极管两端上的装置，以便调节该二极管辐敏区之间的边界。

【技术特征摘要】
NL 1986-7-2 86017191.一种辐敏半导体器件，该半导体器件包括一半导体本体和一电路，该半导体本体在一基本平坦的表面上提供至少两个了元件，该子元件构成辐敏二极管，二极管间有毗邻的半导体本体部分，子元件间的距离应足够小，以使子元件间的半导体本体因在二极管两端加上一反向电压而完全被耗尽区耗尽，以便抑止子元件间的电荷转移；该电路用以在辐敏二极管两端施加反向电压，以及用以检测在该耗尽区所组成的二极管辐敏区中由辐射所产生的光电电流；该辐敏半导体器件的特征在于该电路包括根据一控制信号将不同反向电压施加在二极管两端上的装置，以便调节该二极管辐敏区之间的边界。2.根据权利要求1中所要求的一种半导体器件，其特征在于，该电路包括至少一个微分放大器，这种微分放大器被反馈，而且是用以将辐射所产生的其中一个光电电流转换为一测量信号，为此，其中一个子元件被耦合到微分放大器的反相输入端以将待转换的电流施加到所说输入端，该电路还包括施加电压的装置，该电压的幅度取决于微分放大器非反相输入端的控制信号。3.根据权利要求2的一种半导体器件，其特征在于该半导体器件有一个用以产生测量信号的第二微分放大器，这个测量信号是第一微分放大器的输出电压和第一微分放大器非反相输入端上的控制电压之间的电压差量，为此，将第二微分放大器的一个输入端耦合到第一微分放大器的输出端，并为此使电路包括将一个正比于控制电压的电压施加到第二微分放大器另一输入端的装置。4.一种光电子聚焦误差检测系统，用以在一光学系统中检测某一元件和一物镜系统的聚焦平面之间的偏差，特别用在一读出具有光可读出信息结构的记录载体用的设备或一用以光读出一记录载体中的信息的设备，这种聚焦误差检测系统的特征是它包括一个根据权利要求1、2或3中所提出的一个半导体器件。5.一个用于检测在一反射检测表面和一导引辐射束指向检测表面用的物镜系统聚焦平面之间的偏差的光电子聚焦误差检测系统包括一个第一辐敏检测器和一个第二辐射检测器、一个分束元件、一个第一电路和一个第二电路;该第一和第二辐敏检...

【专利技术属性】
技术研发人员：威廉杰勒德奥费尔，
申请(专利权)人：菲利浦光灯制造公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]