与电路相集成的光接收元件制造技术

与电路集成的光接收元件，包括：Ⅰ型导电半导体基底；在该基底上的Ⅱ型导电的第一半导体层；把该层分成多个Ⅱ型导电区的Ⅰ型导电的第一半导体层；由分隔开的半导体区和下方基底区构成的光探测部分，由多个光探测部分构成一个分隔光电二极管；仅在Ⅰ型导电的第一层附近和形成各个光探测部分的基底区中形成的Ⅱ型导电的第二半导体层；在Ⅱ型导电的第一层的表面区，包括分隔区形成的Ⅰ型导电的第二半导体层，覆盖第二层的上方。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种与处理光电转换信号的电路相集成的光接收元件。更具体地说，本专利技术涉及一种做在与电路相集成的光接收元件中的、有一个被分隔成多个光探测部分(以后称为“光电二极管光探测区”)的光接收区的、能降低其射频噪声的水平同时又不降低其响应速度的分隔光电二极管结构。例如，通常采用这种与电路相集成的拥有一个分隔光电二极管的光接收元件作为光学检测用的信号探测元件。附图说明图10A和10B示出一种一般的与电路相集成光接收元件图10A是与电路相集成光接收元件四分隔光电二极管的一般结构的平面图，图10B是沿图10A中10b-10b线的截面结构图。注意图10A和图10B中省略了继金属处理步骤之后各个步骤期间所形成的各个构造部分，包括多层配线、保护层等。在图10A和10B中，PD20是一个做在一般与电路集成的光接收元件中的四分隔光电二极管，在P型半导体基底11上形成N型外延层14。在基底11与N型外延层14之间的边界区中有选择性地形成P+型埋入扩散层12。在N型外延层14的表面区中形成P+型隔离扩散层15，并使之到达P+型埋入扩散层12。此外，用P+型埋入扩散层12和与埋入扩散层12相联系本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种与电路集成的光接收元件，其特征在于包括： 具有第一导电类型的半导体基底； 在第一导电类型半导体基底上形成的具有第二导电类型的第一半导体层； 把第二导电类型的第一半导体层分成多个第二导电类型半导体区的具有第一导电类型的第一半导体层； 由各个第二导电类型的分隔的半导体区和下方的第一导电类型半导体基底区构成的多个光探测部分，它用于探测信号光和输出该信号光的光电转换信号，由多个所述的光探测部分构成一个分隔光电二极管，和在与形成分隔光电二极管区电隔离的第二导电类型第一半导体区中形成的信号处理电路部分，它用于对光电转换信号进行处理； 仅在起光电二极管分隔区作用的第一导电类...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1996-9-30 260043/961.一种与电路集成的光接收元件，其特征在于包括具有第一导电类型的半导体基底；在第一导电类型半导体基底上形成的具有第二导电类型的第一半导体层；把第二导电类型的第一半导体层分成多个第二导电类型半导体区的具有第一导电类型的第一半导体层；由各个第二导电类型的分隔的半导体区和下方的第一导电类型半导体基底区构成的多个光探测部分，它用于探测信号光和输出该信号光的光电转换信号，由多个所述的光探测部分构成一个分隔光电二极管，和在与形成分隔光电二极管区电隔离的第二导电类型第一半导体区中形成的信号处理电路部分，它用于对光电转换信号进行处理；仅在起光电二极管分隔区作用的第一导电类型第一半导体层附近和形成各个光探测部分的第一导电类型半导体基底区中形成的具有第二导电类型的第二半导体层；在第二导电类型的第一半导体层的表面区，包括一部分第一导电类型的第一半导体层中形成的具有第一导电类型的第二半导体层，它覆盖第二导电类型的第二半导体层的上方部分。2.如权利要求1所述的与电路集成的光接收元件，其特征在于仅在其上照射信号光的、面积与信号光束直径基本相等的分隔区附近形成具有第一导电类型的第二半导体层；具有第二导电类型的第二半导体层的形成使得第二导电类型的第二半导体层的平面图案不比第一导电类型的第二半导体层的平面图案长得大。3.如权利要求1所述的与电路集成的光接收元件，其特征在于仅在其上照射信号光的、平面图案满足制造工艺设计规则最小尺寸的分隔区附近形成具有第二导电类型的第二半导体层；形成的具有第一导电类型的第二半导体层覆盖了第二导电类型的第二半导体层的上方部分。4.如权利要求2所述的与电路集成的光接收元件，其特征在于仅在其上照射信号光的、平面图案满足制造工艺设计规则最小尺寸的分隔区附近形成具有第二导电类型的第二半导体层；形成的具有第一导电类...

【专利技术属性】
技术研发人员：泷本贵博，福永直树，久保胜，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]