【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及固体摄像装置，尤其是涉及具有在检测信号电荷的信号电荷检测部复位时设定所附加的复位电压的复位电压设定电路的固体摄像装置。图5表示已有固体摄像装置的电荷检测部的复位电压设定电路的结构。由未图示的像素产生信号电荷，再由CCD寄存器依次传送，通过在规定电压设定的输出栅极OG传送给浮置扩数层1，并暂时被存储。浮置扩散层1由半导体基片和反向导电型扩散层形成，预先通过以规定浓度注入扩散层1和同样导电型的杂质的通道区域，隔开一定间隙形成着和扩散层1相同导电型的复位漏极扩散层2。在通道区域上通过来图示的绝缘膜形成着复位门电极。由浮置扩散层1、通道区域、复位漏极扩散层2和复位门电极构成偏转型(下面简称D型)MOS晶体三极管，作为复位晶体管3而动作。在浮置扩散层1连接着源跟随器电路9。源跟随器电路9在电源电压VCC端子和接地端子之间串联地连接N型通道晶体管10和作为电阻元件的D型晶体管11，晶体管10的栅极连接着浮置扩散层1。连接着晶体管10的一端和晶体管11的一端的结点与输出端子12连接。浮置扩散层1所存储的信号电荷由源极跟随器电路9变换成电压信号后从输出端子12...
【技术保护点】
一种固体摄像装置，其特征在于该装置具有在半导体基片的表面部分形成的、提供从邻接的ＣＣＤ传送来的信号电荷并存储的存储部，检测上述存储部所存储的信号电荷并向外部输出检测信号的电荷检测部，在上述半导体基片的表面部分以与上述存储部隔开规定距离形成的排出部，以在上述存储部和上述排出部之间所设置的耗尽型ＭＯＳ晶体管构成的复位部，和设定在上述复位部所施加的复位电压的复位电压设定机构；上述复位电压设定机构在供给规定电压的一端与接地的另一端之间串联连接着第１、第２电阻元件，连接上述第１电阻元件和第２电阻元件的节点与上述复位电压附加电极连接，上述第２电阻元件由耗尽型ＭＯＳ晶体管构成，该耗尽型Ｍ...
【技术特征摘要】
JP 1996-5-30 136750/961.一种固体摄像装置，其特征在于该装置具有在半导体基片的表面部分形成的、提供从邻接的CCD传送来的信号电荷并存储的存储部，检测上述存储部所存储的信号电荷并向外部输出检测信号的电荷检测部，在上述半导体基片的表面部分以与上述存储部隔开规定距离形成的排出部，以在上述存储部和上述排出部之间所设置的耗尽型MOS晶体管构成的复位部，和设定在上述复位部所施加的复位电压的复位电压设定机构；上述复位电压设定机构在供给规定电压的一端与接地的另一端之间串联连接着第1、第2电阻元件，连接上述第1电阻元件和第2电阻元件的节点与上述复位电压附加电极连接，上述第2电阻元件由耗尽型MOS晶体管构成，该耗尽型MOS晶体管的耗尽型杂质层是由与上述复位部的耗尽型杂质相同的工艺方法形成的。2.一种固体摄像装置，其特征在于该装置具有在半导体基片的表面部分形成的、提供从邻接的CCD传送来的信号电荷并存储的浮置扩散层，检测上述浮置...
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