一种考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器，包括分布式二堆叠HiFET放大网络、偏置电压、考虑密勒效应的栅极人工传输线及考虑密勒效应的漏极人工传输线，本实用新型专利技术核心架构采用分布式二堆叠HiFET放大网络,分布式二堆叠HiFET放大网络至少由三个二堆叠HiFET结构组成；同时，本实用新型专利技术考虑了二晶体管堆叠结构的密勒效应对于人工传输线的等效电容的影响，大大提高了电路设计的精确性，降低了电路后期调试的难度，使得整个功率放大器获得了良好的宽带功率输出能力和功率增益能力，避免了集成电路工艺的低击穿电压特性，提高电路的稳定性与可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器
本技术涉及场效应晶体管射频功率放大器和集成电路领域，特别是针对超宽带收发机末端的发射模块应用的一种高效率、高输出功率、高增益的分布式功率放大器。
技术介绍
随着电子战、软件无线电、超宽带通信、无线局域网(WLAN)等军用电子对抗与通信、民用通信市场的快速发展，射频前端收发器也向高性能、高集成、低功耗的方向发展。因此市场迫切的需求发射机的射频与微波功率放大器具有超宽带、高输出功率、高效率、低成本等性能，而集成电路正是有望满足该市场需求的关键技术。然而，当采用集成电路工艺设计实现射频与微波功率放大器芯片电路时，其性能和成本受到了一定制约，主要体现：(1)高功率高效率放大能力受限：半导体工艺中晶体管的栅长越来越短，由此带来了低击穿电压和高膝点电压，从而限制了单一晶体管的功率容量。为了获得高功率能力，往往需要多路晶体管功率合成，但是由于多路合成网络的能量损耗导致功率放大器的效率比较低，因此高功率、高效率能力较差。(2)超宽带高功率放大能力受限：为满足高功率指标就需要多个晶体管功率合成，但是多路合成的负载阻抗大大降低，从而导致了很高的阻抗变换比；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器，其特征在于，包括分布式二堆叠HiFET放大网络、偏置电压、考虑密勒效应的栅极人工传输线及考虑密勒效应的漏极人工传输线，所述分布式二堆叠HiFET放大网络由k个二堆叠HiFET结构组成，其中k大于等于3；所述二堆叠HiFET结构由两个晶体管按照源极漏极相连堆叠构成，所述二堆叠HiFET结构的最底层的晶体管的源极接地，栅极通过并联的RC稳定电路接到所述考虑密勒效应的栅极人工传输线；所述二堆叠HiFET结构的最上层的晶体管的栅极通过分压电阻连接到所述偏置电压，同时，所述栅极连接由栅极补偿电容连接接地组成的补偿电路，漏极和源极之间并联高频补偿电容，漏极连...

【技术特征摘要】
1.一种考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率放大器，其特征在于，包括分布式二堆叠HiFET放大网络、偏置电压、考虑密勒效应的栅极人工传输线及考虑密勒效应的漏极人工传输线，所述分布式二堆叠HiFET放大网络由k个二堆叠HiFET结构组成，其中k大于等于3；所述二堆叠HiFET结构由两个晶体管按照源极漏极相连堆叠构成，所述二堆叠HiFET结构的最底层的晶体管的源极接地，栅极通过并联的RC稳定电路接到所述考虑密勒效应的栅极人工传输线；所述二堆叠HiFET结构的最上层的晶体管的栅极通过分压电阻连接到所述偏置电压，同时，所述栅极连接由栅极补偿电容连接接地组成的补偿电路，漏极和源极之间并联高频补偿电容，漏极连接到所述考虑密勒效应的漏极人工传输线。2.根据权利要求1所述的考虑密勒效应的分布式二堆叠结构的功率...

【专利技术属性】
技术研发人员：滑育楠，邬海峰，胡柳林，陈依军，廖学介，吕继平，童伟，王测天，
申请(专利权)人：成都嘉纳海威科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：四川,51