【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路芯片和芯片载体的倒装片焊接。更具体地说，本专利技术涉及在集成电路芯片和芯片载体上两种不同熔点温度合成物的使用，其中一种合成物的熔化和另一合成物的增溶溶液能形成更低熔点焊接头。二十多年来可控紧裹芯片连接(C4)或倒装片技术已成功地用于将硅芯片上的大I/O数量和面阵列焊点和例如矾土载体那样的基座陶瓷芯片载体互相连接。典型的焊点，例如95Pb/5Sn的铅/锡合金或50Pb/50In的铅铟合金，可用于将芯片固定到陶瓷芯片载体上，以供使用和测试。例如，可参阅转让给Miller和本申请的受让人的美国专利号3,401,126和3,429,040，以便进一步讨论用于将半导体芯片面向下焊到载体上的可控紧裹芯片连接(C4)技术。典型情况是，在半导体装置的连接点上形成金属熔剂的可压延焊片，同时在芯片载体上的导体上形成可连接焊点。集成电路芯片和芯片载体互相压紧并用辐射加热、加热的氮气、或加热的惰性气体进行加热，使焊点再熔，形成焊柱。对于Pb/Sn焊剂讲，大约在370摄氏度下加热大约3分钟，而对于Pb/In剂则大约在265摄氏度下加热大约3分钟。最近以来，又开发出了有...
【技术保护点】
一种用于将集成电路芯片焊到芯片载体上的倒装片法，包括以下步骤：将一种第一、高熔点温度合成物淀积到芯片和芯片载体的一方的触点上，同时将一种第二、较低熔点温度合成物淀积到芯片和芯片载体的另一方的对应触点上；将芯片和芯片载体加热，使较低熔点合成物熔化并形成一种第三、较低熔点温度合成物，然后将较高熔点温度合成物溶解从而形成一种低熔点合金的焊接头。
【技术特征摘要】
US 1994-4-19 229883书来说明。权利要求1．一种用于将集成电路芯片焊到芯片载体上的倒装片法，包括以下步骤将第一种高熔点温度合成物淀积到芯片和芯片载体中一方的触点上，同时将第二种较低熔点温度合成物淀积到芯片和芯片载体中另一方的对应触点上；将芯片和芯片载体加热，使较低熔点合成物熔化，从而形成一种低熔点温度的第一焊接合金，该合金溶解高熔点温度的合成物，以形成第三种具有更低熔点温度的合成物，将集成电路芯片焊接到芯片载体上。2．一种用于将集成电路芯片焊到芯片载体上的倒装片法，包括以下步骤将一种Pb/Sn二元合金淀积到芯片触点上，及将Bi和Sn共积在芯片载体上；将...
【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯帕特里克高尔，阿托尼保尔英格拉汉姆，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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