【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为1997年4月18日的中国专利申请97190579.7的分案申请。附图说明图13是用来说明这样的半导体器件中的布线构造的说明图，图13(a)是平面图，图13(b)是其XIII b-XIII b线剖面图。在图中，250是已在硅衬底5上边形成的布线构造。该布线构造250具有沿第1方向D1延伸的、以与第1方向D1垂直的第2方向为布线宽度方向的下层布线(第1布线)1和沿该第1方向延伸的、已电连到该下层布线1上的上层布线(第2布线)2a、2b。即，在该硅衬底5上边介以基底绝缘膜6已形成了下层布线1，该下层布线1已用层间绝缘膜7覆盖起来。在层间绝缘膜7上边形成有上层布线(第2布线)2a、2b，该上层布线2a的顶端2a1通过已在该层间绝缘膜7上形成的接触孔7a连接到上述下层布线1的顶端1a上，该上层布线2b的顶端2b1通过在该层间绝缘膜7上形成的接触孔7b连接到了上述下层布线1的另一顶端1b上。在这里，作为上层布线2a、2b的构成材料，用了比较便宜的铝等的低熔点金属材料，此外，作为上述下层布线1的构成材料使用了白金或钨等的高熔点金属，因为在该下层布线形成之后，通常...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于包括沿第一方向延伸并把与该第1方向垂直的第2方向作为布线宽度方向的、内部产生应力的第1布线；和与该第1布线电连接，受该第1布线的应力影响的、形成在与该第1布线不同的层上的第2布线；所述第2布线在与所述第1布线连接的端部或其附近弯曲成与相对于所述第1方向形成给定角度的方向平行。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述第2布线的与所述第1布线连接的端部弯曲成与相对于所述第1方向形成给定角度的方向平行。3.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：平野博茂，本多利行，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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