具有高度结构可靠性和低寄生电容的半导体器件制造技术

一种具有表面的半导体器件，所述半导体器件包括： 半导体区，其中，从靠近半导体区的衬底的一侧层叠有发射极区、基极区和集电极区； 配置在所述表面上的绝缘保护层；和 配置在所述表面上的布线层，绝缘保护层从半导体区的衬底一侧形成通孔，形成的通孔使布线层从衬底一侧构成与发射极区的电极的接触，发射极区、基极区和集电极区层叠于衬底之中，半导体区被隔离于此。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及高频工作优异的半导体器件，特别是涉及结构可靠性高而寄生电容尽可能低的半导体器件。
技术介绍
作为已有的高频工作优异的半导体器件的结构，公知的有JP-A177966/1987(已有技术1)公开的异质结双极晶体管。在已有技术1的器件结构中，在半绝缘GaAs衬底上，从衬底一侧依次层叠包括宽能带隙N型半导体层的发射极层、包括P型半导体层的基极层、和包括N型半导体层的集电极层，其中，采用AuGe合金的集电极电极设置在最上层，采用AuZn合金的基极电极设置于通过蚀刻而暴露的基极层，在半绝缘GaAs衬底的背面抛光之后，采用蚀刻所形成的到达发射极层的通孔，通过背面的AuGe金属的汽相淀积，设置发射极电极。虽然已有技术1未披露器件隔离，但必须进行晶体管区与其它区的隔离。例如，通过在背面抛光工序之前从表面腐蚀，使与发射极层的接触区小于被隔离的晶体管区。而且，利用来自背面的通孔形成晶体管电极的另一个例子公开于JP-A 5620/1994(已有技术2)。在已有技术2中，最低层是集电极接触层，通过向隔离区注入氢离子进行器件隔离，从而形成将导电层转变成为绝缘层的离子注入层。在这种情形，靠近本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有表面的半导体器件，所述半导体器件包括半导体区，其中，从靠近半导体区的衬底的一侧层叠有发射极区、基极区和集电极区；配置在所述表面上的绝缘保护层；和配置在所述表面上的布线层，绝缘保护层从半导体区的衬底一侧形成通孔，形成的通孔使布线层从衬底一侧构成与发射极区的电极的接触，发射极区、基极区和集电极区层叠于衬底之中，半导体区被隔离于此。2.一种具有表面的半导体器件，所述半导体器件包括半导体区，其中，从靠近半导体区的衬底的一侧层叠有集电极区、基极区和发射极区；配置在所述表面上的绝缘保护层；和配置在所述表面上的布线层，绝缘保护层从半导体区的衬底一侧形成通孔，形成的通孔使布线层从衬底一侧构成与集电极区的电极的接触，集电极区、基极区和发射极区层叠于衬底之中。3.根据权利要求1的半导体器件，其中，设置在衬底背面上的通孔区比形成为层叠的半导体区的晶体管区要大。4.根据权利要求2的半导体器件，其中，设置在衬底背面上的通孔区比形成为层叠的半导体区的晶体管区要大。5.根据权利要求1的半导体器件，其中，晶体管区包括发射极区、基极区和集电极区，其中晶体管区和半导体区是隔离区，所述半导体器件还包括在隔离的各区之间通过绝缘保护膜实现的机械连接。6.根据权利要求2的半导体器件，其中，晶体管区包括发射极区、基极区和集电极区，其中晶体管区和半导体区是隔离区，所述半导体器件还包括在隔离的各区之间通过绝缘保护膜实现的机械连接。7.根据权利要求3的半导体器件，其中，晶体管区包括发射极区、基极区和集电极区，其中晶体管区和半导体区是隔离区，所述半导体器件还包括在隔离的各区之间通过绝缘保护膜实现的机械连接。8.根据权利要求5的半导体器件，其中，在用于机械连接隔离的各区的绝缘保护膜中，从衬底的表面到背面形成穿透至通孔的开口。9.根据权利要求6的半导体器件，其中，在用于机械连接隔离的各区的绝缘保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：田上知纪，望月和浩，山田宏治，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：