双极晶体管以及包含该双极晶体管的电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术的双极晶体管包括由ｎ－型半导体制成的集电极层和在该集电极层上由ｎ－型半导体制成的发射极层。在发射极层上提供用于注入ｐ－型载流子（空穴）到发射极层的栅极层。在集电极层和发射极层之间形成ｐ－型载流子保留层。ｐ－型载流子保留层临时保留从栅极层注入到发射极层的ｐ－型载流子和在发射极层中扩散并到达ｐ－型载流子保留层。双极晶体管具有其性能不被基极层的表面电阻影响的结构，而且甚至在高频率区也能有高电流增益。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及双极晶体管，更具体地说，涉及包含III族元素和氮(N)的化合物半导体作为材料的双极晶体管。
技术介绍
作为一种类型的双极晶体管包含III族元素和氮(N)的化合物半导体作为材料，由氮化镓/氮化铝镓(GaN/AlGaN)材料制造的HBT(异质结双极晶体管)是公知的(参考JP2002-368005A)。在半绝缘衬底上表面上的HBT具有n+-氮化镓(GaN)子集电极层(厚度～1000nm，作为n-型掺杂剂的硅(Si)浓度是～6×1018cm-3)、在该子集电极层的上表面中心区中形成n-GaN集电极层、由AlGaN/GaN交替层制成的基极层(超晶格)(总厚度是150nm，每个GaN层的厚度是～3nm，未掺杂，每个AlGaN层的厚度是～1nm，这里作为P-型掺杂剂的Mg浓度是～1×1019cm-3)和该基极层上表面的中心区中形成的AlGaN发射极层(厚度150nm，作为n-型杂质的Si的浓度～6×1018cm-3)，其中半绝缘衬底由例如蓝宝石或碳化硅(SiC)制成。在对应于集电极层的两侧的子集电极层上表面的每个区中形成集电极。在对应于发射极层的两侧的基极层上表面的每个区中形成基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双极晶体管，包括：由第一导电类型半导体制成的集电极层；在集电极层上提供的由第一导电类型半导体制成的发射极层；在发射极层上提供并用于注入第二导电类型载流子到发射极层的栅极层；以及在集电极层和发射极层之间形成 第二导电类型载流子保留层，该层临时保留从栅极层注入到发射极层并在发射极层扩散且到达载流子保留层的第二导电类型载流子。

【技术特征摘要】
JP 2003-11-28 399025/03;JP 2004-11-8 323844/041.一种双极晶体管，包括由第一导电类型半导体制成的集电极层；在集电极层上提供的由第一导电类型半导体制成的发射极层；在发射极层上提供并用于注入第二导电类型载流子到发射极层的栅极层；以及在集电极层和发射极层之间形成第二导电类型载流子保留层，该层临时保留从栅极层注入到发射极层并在发射极层扩散且到达载流子保留层的第二导电类型载流子。2.权利要求1的双极晶体管，其中在确定的衬底上形成集电极层。3.权利要求2的双极晶体管，包括沿着衬底在集电极层和衬底之间形成的由第一导电类型半导体制成的子集电极层，用比集电极层浓度更高的第一导电类型杂质掺杂该子集电极层。4.权利要求3的双极晶体管，其中在子集电极层上的部分区中形成集电极层，在对应于集电极层侧的子集电极层的上表面区中提供集电极，在发射极层部分区中形成栅极层，在对应于栅极层侧的发射极层的上表面区中提供发射极，以及在栅极层上提供栅极。5.权利要求1的双极晶体管，其中发射极层能带隙比栅极层能带隙窄。...

【专利技术属性】
技术研发人员：约翰K特怀纳姆，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]