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本发明的双极晶体管包括由ｎ－型半导体制成的集电极层和在该集电极层上由ｎ－型半导体制成的发射极层。在发射极层上提供用于注入ｐ－型载流子（空穴）到发射极层的栅极层。在集电极层和发射极层之间形成ｐ－型载流子保留层。ｐ－型载流子保留层临时保留从栅极...
该专利属于夏普株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过夏普株式会社授权不得商用。

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