引线键合方法以及凸点形成方法和凸点技术

本发明专利技术的课题是，提供能够防止凸点与引线键合后引线与电路基板的接触以及引线与布线之间的接触的发生，并且能够防止凸点与引线结合时引线弯曲的发生的引线键合方法以及凸点形成方法和凸点。在第１导体１０与第２导体２０之间进行引线键合时，利用球键合预先在第２导体２０上形成凸点５１ａ。经规定的路径移动毛细管４０，并使其工作，在凸点５１ａ的上部形成倾斜面５１ｃ。在第１导体１０上进行１次键合后，对凸点５１ａ从第１导体１０一侧将引线５０制成环形，在倾斜面５１ｃ上进行２次键合。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
专利说明引线键合方法以及凸点形成方法和凸点 [专利技术所属的
]本专利技术涉及在2个导体间进行引线键合的方法以及此时的凸点形成方法和凸点，特别是涉及适合于在第1导体上进行1次键合，并且在第2导体上进行2次键合，从而在第1导体与第2导体之间进行引线键合，以进行了引线键合的引线不与其他引线接触，也不与电路基板面接触的方式，利用球键合预先在第2导体上形成合适形状的凸点来进行的引线键合方法，以及形成那样的凸点的方法和凸点。在进行引线键合时，一般采用如下的引线键合法借助于利用毛细管内穿过了Au引线的毛细管，通过来自焊枪电极的放电，使从毛细管中突出的Au引线的端部形成小球，使毛细管位于半导体芯片上进行1次键合后，使毛细管移动到布线上进行2次键合，在半导体芯片与布线之间进行引线键合。这时，由于当布线材料是例如Cu、Ni、薄镀Au层之类的与Au引线的键合性差的材料时，不能够直接在布线上进行键合，所以在要进行键合的部分预先形成Ag镀层或Au厚膜等基底。但是，设置这样的基底在实用上不方便，即使布线材料是与Au引线键合性差的材料，也希望用能够直接在布线上键合的方法。例如在日本国特开平10-112471号公报中记述了如下的键合方法如附图说明图10所示，在电路基板30的第2导体20上进行球键合，形成凸点51a，在与第1导体10的相反一侧的位置对凸点51a进行其楔键合后，在第1导体10上进行1次键合，对凸点51a从第1导体10一侧将引线50制成环形，在凸点51a上进行2次键合，从而在第1导体10与第2导体20间进行引线键合。根据该方法，由于在利用球键合形成凸点后，在凸点后方(凸点的与第1导体所在一侧相反的一侧的位置)的第2导体上进行了其楔键合，所以楔键合呈弯曲形状，不产生凸点尾部。另外，还记述了在凸点上进行2次键合的场合，当如图11所示，以从凸点51a延伸的引线50的弯曲部51b进入毛细管40的通孔41内的方式放置毛细管40时，以弯曲部51b被通孔41的一侧的内壁压住，引线50被通孔41的另一侧压断的状态，使两者键合。但是，用在上述公报中记载的方法，如图11所示，导致凸点形成后的楔键合部与引线部的键合，即导致曲面与曲面的键合，当发生键合位置偏离时，作为其结果，有可能发生引线弯曲，以及相邻的引线间发生接触。另外，虽然在凸点形成后借助于使楔键合部形成为向后方弯曲的形状能够抑制引线尾部的发生，但是由于对引线与凸点的键合部不能确保其充分倾斜，或确保是平面，所以不能充分防止如图11的虚线所示的、将凸点51a与引线50键合后所发生的引线50与电路基板30的接触以及引线50与布线之间的接触。本专利技术的课题在于提供能够防止凸点与引线键合后的引线与电路基板的接触以及引线与布线之间的接触的发生，并且能够防止在凸点与引线键合时引线弯曲发生的引线键合方法、凸点形成方法和凸点。为解决上述课题，本专利技术采取了如下的方法。本专利技术的引线键合方法是在第1导体与第2导体之间进行引线键合的方法，它包括利用球键合在上述第2导体上形成凸点的工序；在上述凸点的上部形成倾斜面的工序；在上述第1导体上对引线的一端进行1次键合的工序；以及对上述第2导体上的凸点从上述第1导体将引线制成环形，在上述凸点上部的倾斜面上对引线的另一端进行2次键合的工序。另外，本专利技术的引线键合方法是利用在其通孔中穿过引线的毛细管，在第1导体与第2导体之间进行引线键合的方法，它包括使毛细管位于上述第2导体上，借助于进行球键合在上述第2导体上形成凸点的工序；在将上述毛细管向上方移动后，使该毛细管横向移动至与上述第1导体相反一侧的位置，使上述毛细管下降，切断上述引线，在上述凸点的上部形成倾斜面的工序；在上述第1导体上对上述引线的一端进行1次键合的工序；以及使上述毛细管位于上述凸点上部的倾斜面上，对从上述毛细管内伸出的引线在上述毛细管的底部在上述凸点上部的倾斜面上进行2次键合，并在其键合部附近切断上述引线的工序。在本专利技术的引线键合方法的优选实施例中，上述凸点上部的倾斜面形成平面或凹面，上述2次键合工序包括使上述毛细管位于上述凸点上部的倾斜面上，在该毛细管的底部在上述凸点上部的倾斜面上挤压引线。另外，在本专利技术的引线键合方法的优选实施例中，上述凸点上部的倾斜面以联结该倾斜面的两端部间的直线对第2导体面所成的倾角朝向上述第1导体形成2°～60°的张角的方式形成。还有，本专利技术的凸点形成方法是适合于在第1导体上进行1次键合，并且在第2导体上进行2次键合，从而在第1导体与第2导体之间进行引线键合，利用球键合预先在第2导体上形成凸点的方法，它包括使毛细管下降至上述第2导体上，将在引线端部形成的小球球键合到上述第2导体上形成凸点的工序；之后，使上述毛细管垂直上升的工序；之后，使上述毛细管向与上述第1导体所在方向相反的方向横向移动的工序；之后，使上述毛细管下降，将该毛细管的底部挤压到上述凸点上的工序；以及之后的使上述毛细管向上述第1导体的方向横向移动的工序，并且在上述凸点的上部设置倾斜面。本专利技术的凸点形成方法是适合于在第1导体上进行1次键合，并且在第2导体上进行2次键合，从而在第1导体与第2导体之间进行引线键合，利用球键合预先在第2导体上形成凸点的方法，它包括使毛细管下降至上述第2导体上，将在引线端部形成的小球球键合到上述第2导体上形成凸点的工序；之后，使上述毛细管垂直上升的工序；之后，使上述毛细管向上述第1导体所在方向横向移动的工序；之后，使上述毛细管垂直上升的工序；之后，使上述毛细管向与上述第1导体所在方向相反的方向横向移动的工序；之后，使上述毛细管下降，将该毛细管的底部挤压到上述凸点上的工序；以及之后的使上述毛细管向上述第1导体所在方向横向移动的工序，并且在上述凸点的上部设置倾斜面。在本专利技术的凸点形成方法的优选实施例中，上述凸点上部的倾斜面以联结的该倾斜面的两端部间直线对上述第2导体面所成的倾角朝向上述第1导体形成2°～60°的张角的方式形成。另外，本专利技术的凸点是适合于在第1导体上进行1次键合，并且在第2导体上进行2次键合，从而在第1导体与第2导体之间进行引线键合，利用球键合预先在第2导体上形成的凸点，其特征在于它具有形成平面或凹面的上表面，该上表面以联结它的两端部间的直线对上述第2导体面所成的倾角朝向上述第1导体形成2°～60°的张角的方式形成。图1是示出采用本专利技术的一个实施例的引线键合方法在半导体芯片与布线之间进行引线键合的状态的剖面图。图2A～图2G是用于说明本专利技术的引线键合方法的一个实施例的键合工序的图。图3是在凸点上部的倾斜面上对引线进行2次键合时的放大剖面图。图4是示出实施本专利技术的凸点形成方法之前的状态，示出电路基板上的第1导体、第2导体与毛细管的位置关系的图。图5A～图5E是示出本专利技术的凸点形成方法的一个实施例的工序图，图5F是示出毛细管的移动路径的图。图6是根据图5A～图5F所示的实施例形成的凸点的剖面图。图7A～图7G是示出本专利技术的凸点形成方法的另一实施例的工序图，图7H是示出毛细管的移动路径的图。图8A和图8B是根据图7A～图7H所示的实施例分别形成的凸点的剖面图。图9是示出根据本专利技术的凸点形成方法的实施例利用所形成的凸点进行引线键合的例子的剖面图。图10是利用按现有的凸点形成方法形成的凸点进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种引线键合方法，它是在第１导体与第２导体之间进行引线键合的方法，其特征在于，包括： 利用球键合在上述第２导体上形成凸点的工序； 在上述凸点的上部形成倾斜面的工序； 在上述第１导体上对引线的一端进行１次键合的工序；以及 对上述第２导体上的凸点从上述第１导体将引线制成环形，在上述凸点上部的倾斜面上对引线的另一端进行２次键合的工序。

【技术特征摘要】
JP 2002-8-8 231931/021.一种引线键合方法，它是在第1导体与第2导体之间进行引线键合的方法，其特征在于，包括利用球键合在上述第2导体上形成凸点的工序；在上述凸点的上部形成倾斜面的工序；在上述第1导体上对引线的一端进行1次键合的工序；以及对上述第2导体上的凸点从上述第1导体将引线制成环形，在上述凸点上部的倾斜面上对引线的另一端进行2次键合的工序。2.如权利要求1所述的引线键合方法，其特征在于上述凸点上部的倾斜面以联结该倾斜面的两端部间的直线对上述第2导体面所成的倾角朝向上述第1导体形成2°～60°的张角的方式形成。3.一种引线键合方法，它是利用在其通孔中穿过引线的毛细管，在第1导体与第2导体之间进行引线键合的方法，其特征在于，包括使毛细管位于上述第2导体上，借助于进行球键合在上述第2导体上形成凸点的工序；在将上述毛细管向上方移动后，将该毛细管横向移动至与上述第1导体相反一侧的位置，使上述毛细管下降，切断上述引线，在上述凸点的上部形成倾斜面的工序；在上述第1导体上对上述引线的一端进行1次键合的工序；以及使上述毛细管位于上述凸点上部的倾斜面上，对从上述毛细管内伸出的引线在上述毛细管的底部在上述凸点上部的倾斜面上进行2次键合，并在其结合部附近切断上述引线的工序。4.如权利要求3所述的引线键合方法，其特征在于上述凸点上部的倾斜面形成为平面或凹面，上述2次键合工序包括使上述毛细管位于上述凸点上部的倾斜面上，用该毛细管的底部在上述凸点上部的倾斜面上挤压引线。5.如权利要求3或4所述的引线键合方法，其特征在于上述凸点上部的倾斜面以联结该倾斜面的两端部间的直线对第2导体面所成的倾角朝向上述第1导体形成2°～60°的张角的方式形成。6.一种凸点形成方法，它是适合于在第1导体上进行1次键合，并且在第2导体上进行2次键合，从而在第1导体与第2导体之间进行引线键合，利用球键合预先在第2导体上...

【专利技术属性】
技术研发人员：今井玲，安田玉成，石井志信，小作祐次，
申请(专利权)人：株式会社海上，
类型：发明
国别省市：JP[日本]