采用引线键合的仿形屏蔽结构及其制作工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种采用引线键合的仿形屏蔽结构的制作工艺，其包括以下步骤：准备其上具有多个射频模块单元的基板，并且所述相邻射频模块单元之间通过多根引线键合；而所述多根引线的底端连接到接地层；对所述基板上的多个射频模块单元利用填充树脂进行封胶，并且所述填充树脂的高度高于任意引线的高度；在相邻射频模块单元之间进行半切或全切，使得引线从填充树脂的侧壁暴露出来；在填充树脂表面溅镀沉积金属层，并且所述金属层与所述引线接触，进而使得所述金属层连接到接地层。本发明专利技术的仿形屏蔽结构制作工艺巧妙地使用引线键合可以轻松使射频模块中屏蔽层与内部电路导通，不再需要额外的元器件来与侧壁连接就能够保证射频模块屏蔽层有效接地。

【技术实现步骤摘要】
采用引线键合的仿形屏蔽结构及其制作工艺
本专利技术涉及电子封装屏蔽的
，更具体地说，本专利技术涉及一种采用引线键 合的仿形屏蔽结构（conformal shielding)及其制作工艺。
技术介绍
电磁波干扰（EMI)及无线电波干扰（RFI)在现代信息社会中普遍存在。而随着电 子产品内部集成电路射频模块的集成度越来越高，电子产品也越来越小型化，但其功能却 越发强大，由此而产生的电磁波强度也相应提高，其会直接或间接引发电子元器件，电气设 备产生误动操作或系统失灵。在微电子工业高速发展时代，使用电磁屏蔽层是防止电磁波 污染所必需的防护手段。在现有技术中，大多数ASE/USI屏蔽层专利都是基于全切割处理， 当遇到双表面贴装（SMT)工艺时就会出现半切过程允许双面表面贴装（SMT)或双侧成型问 题。如图1所示，现有技术中ASE电子屏蔽层技术使用基板上的导电线路来连接屏蔽层。如 图2所示，Skyworks公司的屏蔽层结构的专利采用引线键合与屏蔽层打线为基础。然而， 上述两种工艺方法都面临仿形屏蔽不完全连接到地线层，从而导致屏蔽效果不理想。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种采用引 线键合的仿形屏蔽结构及其制作工艺。 为了解决上述技术问题并实现上述专利技术目的，本专利技术的第一方面提供以下技术方 案：一种采用引线键合的仿形屏蔽结构的制作工艺，其特征在于包括以下步骤： (1)准备其上具有多个射频模块单元的基板，并且所述相邻射频模块单元之间通 过多根引线键合；而所述多根引线的底端连接到接地层； (2)对所述基板上的多个射频模块单元利用填充树脂进行封胶，并且所述填充树 脂的1?度1?于任意引线的1?度； (3)在相邻射频模块单元之间进行半切或全切，使得引线从填充树脂的侧壁暴露 出来； (4)在填充树脂表面溅镀沉积金属层，并且所述金属层与所述引线接触，进而使得 所述金属层连接到接地层。 其中，所述相邻射频模块单元之间的多根引线的高度相同或不相同。 其中，所述相邻射频模块单元之间对应的设置有引线脚，所述多根引线均设置在 所述引线脚上，并且所述引线通过设置在所述引线脚上的通孔连接到接地层。 其中，所述金属层的材料为〇1、41、附、&)、4§、11或它们的合金。 优选地,所述金属层为Cu-Co-Si电磁屏蔽层，并且所述Cu-Co-Si电磁屏蔽层的厚 度为2?10 y m ;优选地，所述电磁屏蔽层的厚度为2?5 y m。 其中，所述Cu-Co-Si电磁屏蔽层通过磁控溅射镀膜得到，其中，溅射靶材为 Cu-Co-Si复合靶材，并且所述复合靶材中钴的质量百分含量为32?35wt%，硅的质量百 分含量为3?6wt%，余量为铜；溅射工艺为：以氩气为工作气体，并且其流量为100? 200sccm ;溅射功率为18?20kW，镀膜温度为30?50°C。 其中，所述填充树脂为环氧树脂组合物。 本专利技术的第二方面还涉及一种采用引线键合的仿形屏蔽结构。 本专利技术所述的采用引线键合的仿形屏蔽结构，包括其上具有射频模块的基板，其 特征在于：所述射频模块周边具有多个引线管脚，所述引线管脚的底端电连接接地面；所 述射频模块采用填充树脂进行封装并形成具有顶壁和多个侧壁的封装结构，而所述封装结 构的顶壁和多个侧壁的表面上沉积有金属屏蔽层；而从所述引线管脚引出有多根连接至所 述侧壁并与所述金属屏蔽层电连接的引线。 其中，自同一个引线管脚引出的多个引线的高度不同。 其中，所述金属层为Cu-Co-Si电磁屏蔽层，并且所述Cu-Co-Si电磁屏蔽层的厚度 为2?10 u m。 与现有技术相比，本专利技术所述的采用引线键合的仿形屏蔽结构及其制作工艺具有 以下有益的技术效果： (1)本专利技术的仿形屏蔽结构制作工艺巧妙地使用引线键合可以轻松使射频模块中 屏蔽层与内部电路导通，不再需要额外的元器件来与侧壁连接，而且这种电连接方式可以 适用于半切或全切工艺。 (2)本专利技术所述的仿形屏蔽结构能够保证射频模块屏蔽层有效接地，其不仅显著 降低了封装成本，而且还可以提供该类型产品更佳的电气性能。 【附图说明】 图1 :现有技术中ASE电子屏蔽层的结构示意图。 图2 :现有技术中Skyworks电子屏蔽层的结构示意图。 图3 :本专利技术的仿形屏蔽结构制作工艺所采用的基板的平面结构示意图。 图4 :本专利技术的仿形屏蔽结构制作工艺所采用的基板的横截面结构示意图。 图5 :本专利技术采用全切工艺制备得到的仿形屏蔽结构的结构示意图。 图6 :本专利技术采用半切工艺制备得到的仿形屏蔽结构的结构示意图。 【具体实施方式】 下面将结合附图和具体的实施例对本专利技术所述的采用引线键合的仿形屏蔽结构 及其制作工艺的制备工艺及其性能等进行详细描述，但附图以及具体实施例不作为对本发 明专利的限定。 如附图3?6所示，本专利技术涉及一种采用引线键合的仿形屏蔽结构的制作工艺， 所述制作工艺包括以下步骤：（1)准备其上具有多个射频模块单元10的基板，所述相邻射 频模块单元10之间对应的设置有引线脚20,所述多根引线30均设置在所述引线脚20上， 并且所述引线30通过设置在所述引线脚20上的通孔连接到接地层60,并且所述相邻射频 模块单元之间的引线脚通过多根引线30键合；(2)对所述基板上的多个射频模块单元利用 填充树脂40进行封胶，并且所述填充树脂40的高度高于任意引线的高度；（3)在相邻射频 模块单元之间进行半切或全切，使得引线从填充树脂的侧壁暴露出来；(4)在填充树脂表 面溅镀沉积金属层50,并且所述金属层50与所述引线30接触，进而使得所述金属层50连 接到接地层60。在本专利技术中，所述金属层的材料可以为Cu、Al、Ni、Co、Ag、Ti或它们的合 金。为了进一步提高金属层在100?500MHz条件下的电磁波屏蔽效果，所述金属层优选为 Cu-Co-Si电磁屏蔽层；而所述填充树脂优选为环氧树脂组合物。 电磁屏蔽层 实施例1 在本实施例中，所述金属层为Cu-Co-Si电磁屏蔽层，厚为约2. Oil m。所述电磁屏 蔽层通过磁控溅射镀膜得到，溅射靶材为Cu-Co-Si复合靶材，并且所述复合靶材中Co的质 量百分含量为32wt%，Si的质量百分含量为3wt%，余量为Cu ;溅射工艺为：以氩气为工作 气体，并且其流量为100?20〇SCCm ;溅射功率为20kW，镀膜温度为50°C。 实施例2 在本实施例中，所述金属层为Cu-Co-Si电磁屏蔽层，厚为约2. Oil m。所述电磁屏 蔽层通过磁控溅射镀膜得到，溅射靶材为Cu-Co-Si复合靶材，并且所述复合靶材中Co的质 量百分含量为35wt%，Si的质量百分含量为6wt%，余量为Cu ;溅射工艺为：以氩气为工作 气体，并且其流量为100?20〇SCCm ;溅射功率为20kW，镀膜温度为50°C。 实施例3 在本实施例中，所述金属层为Cu-Co-Si电磁屏蔽层，厚为约5. 0 ii m。所述电磁屏 蔽层通过磁控溅射镀膜得到，溅射靶材为Cu-Co-Si复合靶材，并且所述复合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用引线键合的仿形屏蔽结构的制作工艺，其特征在于包括以下步骤：(1)准备其上具有多个射频模块单元的基板，并且所述相邻射频模块单元之间通过多根引线键合；而所述多根引线的底端连接到接地层；(2)对所述基板上的多个射频模块单元利用填充树脂进行封胶，并且所述填充树脂的高度高于任意引线的高度；(3)在相邻射频模块单元之间进行半切或全切，使得引线从填充树脂的侧壁暴露出来；(4)在填充树脂表面溅镀沉积金属层，并且所述金属层与所述引线接触，进而使得所述金属层连接到接地层。

【技术特征摘要】
1. 一种采用引线键合的仿形屏蔽结构的制作工艺，其特征在于包括以下步骤： (1) 准备其上具有多个射频模块单元的基板，并且所述相邻射频模块单元之间通过多 根引线键合；而所述多根引线的底端连接到接地层； (2) 对所述基板上的多个射频模块单元利用填充树脂进行封胶，并且所述填充树脂的 高度高于任意引线的高度； (3) 在相邻射频模块单元之间进行半切或全切，使得引线从填充树脂的侧壁暴露出 来； (4) 在填充树脂表面溅镀沉积金属层，并且所述金属层与所述引线接触，进而使得所述 金属层连接到接地层。2. 根据权利要求1所述的采用引线键合的仿形屏蔽结构的制作工艺，其特征在于：所 述相邻射频模块单元之间的多根引线的高度相同或不相同。3. 根据权利要求1所述的采用引线键合的仿形屏蔽结构的制作工艺，其特征在于：所 述相邻射频模块单元之间对应的设置有引线脚，所述多根引线均设置在所述引线脚上，并 且所述引线通过设置在所述引线脚上的通孔连接到接地层。4. 根据权利要求1所述的采用引线键合的仿形屏蔽结构的制作工艺，其特征在于：所 述金属层的材料为Cu、Al、Ni、Co、Ag、Ti或它们的合金。5. 根据权利要求1所述的采用引线键合的仿形屏蔽结构的制作工艺，其特征在于：所 述金属层为Cu-Co-Si电磁屏蔽层，并且所述Cu-Co-Si电磁屏蔽层的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：李荣哲，郭桂冠，
申请(专利权)人：苏州日月新半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32