一种遮光器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种遮光器件及其制备方法，本发明专利技术适用于集成电路制造领域，提供了射频LDMOS器件及其制造方法，所述器件包括：P+硅衬底；在所述P+硅衬底上外延形成的P型外延区域；P+下沉区域；源区；多晶硅栅；沟道区；漂移区；漏区。本发明专利技术实施例，通过调整射频LDMOS器件的漂移区长度，使得射频LDMOS器件的击穿电压得到改变，优化了射频LDMOS器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及，本专利技术适用于集成电路制造领域，提供了射频LDMOS器件及其制造方法，所述器件包括：P+硅衬底；在所述P+硅衬底上外延形成的P型外延区域；P+下沉区域；源区；多晶硅栅；沟道区；漂移区；漏区。本专利技术实施例，通过调整射频LDMOS器件的漂移区长度，使得射频LDMOS器件的击穿电压得到改变，优化了射频LDMOS器件的性能。【专利说明】
本专利技术属于集成电路领域，尤其涉及一种反射型显示器件及其制备方法。
技术介绍
娃基液晶(Liquid Crystal on Silicon, LCoS)是一种液晶显示器(LCD)的新兴技术，是由Aurora Systems融合半导体CMOS集成电路与液晶两项技术的优势,于2000年开发出的一种高分辨率，低价格，反射式新型显示技术。它是一种将LCD直接制于单晶硅片上的新型液晶显示器件。单晶硅片上可将LCD的有源矩阵薄膜晶体管(AMTFT)，外部驱动电路及控制电路等全部制于上面，以此作为LCD的一块基板，与另一块作为公共电极的涂上透明导电层的玻璃基板共同封接成一个薄盒，注入液晶即可制成硅基液晶显示器件。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种遮光器件，其特征在于，所述器件包括：覆盖在集成电路之上的像素镜面反射电极；覆盖在相邻两个所述像素镜面反射电极之间的沟槽上的金属层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜寰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11