具有屏蔽结构的半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种具有屏蔽结构的半导体装置，其包括基底、射频电路、屏蔽结构以及金属内连线系统。基底包括主动面以及背面。射频电路设置在基底的主动面的一侧。屏蔽结构至少设置在基底中且包围射频电路，屏蔽结构接地，其中屏蔽结构包括屏蔽穿硅电极，屏蔽穿硅电极没有贯穿基底。金属内连线系统设置在该基底的主动面的一侧，金属内连线系统包括连接线路，且连接线路连接电位信号至射频电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有屏蔽结构的半导体装置，特别来说，是关于一种具有屏蔽结构半导体装置，可降低射频(radio frequency,RF)电路的电磁波干扰。
技术介绍
在现代的信息社会中，由集成电路(integrated circuit,IC)所构成的微处理器系统早已被普遍运用于生活的各个层面，例如自动控制的家电用品、行动通信设备、个人电脑等，都有集成电路的踪迹。而随着科技的日益精进，以及人类社会对于电子产品的各种想象，使得集成电路也往更多元、更精密、更小型的方向发展。一般所谓集成电路，是透过已知半导体工艺中所生产的管芯(die)而形成。制造管芯的过程，是由生产晶片(wafer)开始：首先，在一片晶片上区分出多个区域，并在每个区域上，透过各种半导体工艺如沉积、光刻、蚀刻或平坦化步骤，以形成各种所需的电路路线，接着，再对晶片上的各个区域进行切割而成各个管芯，并利用各种的封装技术，将管芯封装成芯片(chip)，最后再将芯片电连至电路板，如印刷电路板(printed circuit board,PCB)，使芯片与印刷电路板的接脚(pin)电性连结后，便可执行各种程式化的处理，而形成完整的封装体。而为了因应通信时代的来临，现有半导体装置常会设计有无线射频电路，以执行无线通讯功能。但无线射频电路常会产生强大的电磁波，容易对设置于四周的其他电路产生电磁效应的干扰与噪声(electromagnetic interference,EMI)，而影响其正常运作，而这是一个需要解决与克服的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具有屏蔽结构的半导体装置，以解决上述问题。根据本专利技术的一个实施方式，本专利技术提供了一种具有屏蔽结构的半导体装置，包括基底、射频电路、屏蔽结构以及金属内连线系统。基底包括主动面以及背面。射频电路设置在基底的主动面的一侧。屏蔽结构，至少设置在基底中且包围射频电路，屏蔽结构接地，其中屏蔽结构包括屏蔽穿硅电极，屏蔽穿硅电极没有贯穿基底。金属内连线系统设置在该基底的主动面的一侧，金属内连线系统包括连接线路，且连接线路连接电位信号至射频电路。根据本专利技术另一实施例，本专利技术提供了一种具有屏蔽结构的半导体装置。包括基底、射频电路、屏蔽结构以及连接穿硅电极。基底，依序包括有背面、基材、绝缘层、半导体层以及主动面。射频电路设置在半导体层中。屏蔽结构，至少设置该半导体层中且包围射频电路，屏蔽结构接地，其中屏蔽结构包括屏蔽穿硅电极，屏蔽穿硅电极贯穿半导体层，但没有延伸至绝缘层。连接穿硅电极贯穿基底，且连接穿硅电极连接电位信号至射频电路。本专利技术提供了一种具有屏蔽结构的半导体装置，可有效消除射频电路的电磁波干扰现象。本专利技术考虑到与其他穿硅电极的搭配，以及与硅覆绝缘基底的搭配，而提供了不同的实施方式与制作方法。附图说明图1至图2，所绘示为本专利技术实施例中具有屏蔽结构的半导体装置的结构示意图。图3至图10，所绘示为本专利技术实施例中具有屏蔽结构的半导体装置的结构示意图。图11至图17，所绘示为本专利技术实施例中形成具有屏蔽结构的半导体装置的步骤示意图。附图标记300,300a,   芯片             322             屏蔽穿硅电极300b,300c,354301         主动面           324,324a,352    封装体302         基底             326             载板303         背面             330             引线304         射频电路         332             接触垫305         主动电路         334             半导体层306         屏蔽结构         336             绝缘层308         金属内连线       337             粘胶            系统310         屏蔽线路         338             基材312         连接线路         340             绝缘层314         接触垫           342             导电层316         介电层           344             连接穿硅电极317         内层介电层       350             芯片318         绝缘层           354             芯片320         导电层           356             电路板具体实施方式为使本领域一般技术人员能更进一步了解本专利技术，下文特列举本专利技术的数个优选实施例，并配合附图，详细说明本专利技术的构成内容及所欲达成的功效。请参考图1与图2，所绘示为本专利技术一种具有屏蔽结构的半导体装置的结构示意图，其中图2为图1中沿着AA’切线所绘制的剖视图。本实施例具有屏蔽结构的半导体装置例如是芯片300，芯片300具有基底302、射频(radio frequency,RF)电路304、多层介电层316、屏蔽结构306以及金属内连线系统308。基底302具有半导体材料，例如是硅基底(silicon substrate)、外延硅(epitaxial silicon substrate)、硅锗半导体基底(silicon germanium substrate)或是碳化硅(silicon carbide)基底。基底302具有主动面(active side)301以及背面(backside)303，两者相对设置。如图1的俯视图所示，相较于其他电路305，射频电路304优选设置在芯片300靠近边缘(edge)的地方，最佳是设置在角落(corner)处。更清楚来说，芯片300边缘与射频电路304之间优选并没有其他主动电路305，但可以有其他具有防电磁干扰(electrostatic discharge protection,ESD)功效的装置。如图2的剖视图所示，射频电路304设置在基底302中及/或基底302上，且在靠近主动面301的一侧。在本专利技术中，射频电路304是指能够发出或接收一定频率的无线电波，例如手机通信电路中使用900MHz至190本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有屏蔽结构的半导体装置，包括：基底，包括主动面以及背面；射频电路，设置在该基底的该主动面的一侧；屏蔽结构，至少设置在该基底中且包围该射频电路，该屏蔽结构接地，其中该屏蔽结构包括屏蔽穿硅电极，该屏蔽穿硅电极没有贯穿该基底；以及金属内连线系统，设置在该基底的该主动面的一侧，该金属内连线系统包括一连接线路，且该连接线路连接电位信号至该射频电路。

【技术特征摘要】
1.一种具有屏蔽结构的半导体装置，包括：
基底，包括主动面以及背面；
射频电路，设置在该基底的该主动面的一侧；
屏蔽结构，至少设置在该基底中且包围该射频电路，该屏蔽结构接地，
其中该屏蔽结构包括屏蔽穿硅电极，该屏蔽穿硅电极没有贯穿该基底；以及
金属内连线系统，设置在该基底的该主动面的一侧，该金属内连线系统
包括一连接线路，且该连接线路连接电位信号至该射频电路。
2.如权利要求1所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该金属内连线
系统还包括屏蔽线路，其中该屏蔽结构包括该屏蔽线路。
3.如权利要求2所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该屏蔽线路电
连接该屏蔽穿硅电极。
4.如权利要求1所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该屏蔽穿硅电
极从俯视图来看，为封闭的多边形。
5.如权利要求1所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该屏蔽穿硅电
极从俯视图来看，为具有缺口的多边形。
6.如权利要求5所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该半导体装置
为芯片，且从俯视图来看，该缺口与该基底最靠近该缺口的边缘之间没有任
何主动电路。
7.如权利要求5所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该半导体装置
为封装体，该基底、该射频电路、该屏蔽结构以及该金属内连线系统位于芯
片中，该芯片位于该封装体中，从俯视图来看，该芯片的该缺口与该封装体
最靠近该缺口的边缘之间没有其他芯片。
8.如权利要求1所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该半导体装置
为封装体，且该封装体还包括电路板，其中该电路板通过引线、锡球或重布
线层与该连接线路电连接。
9.如权利要求8所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该引线、该锡
球与该重布层位于该基底的该主动面的一侧。
10.如权利要求8所述的具有屏蔽结构的半导体装置，其中该基底依
序包括有绝缘层以及半导体层，该半导体层位于该绝缘层上。
11.如权利要求10所述的具有屏蔽结构的半导体装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建利，林永昌，林明哲，吴贵盛，林佳芳，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71