本发明专利技术涉及一种电子芯片屏蔽层结构，所述电子芯片采用环氧树脂封装，在所述环氧树脂表面溅射沉积有铜镀层，在所述铜镀层表面电镀形成有锡-镍-钴电磁屏蔽层。本发明专利技术采用溅镀和电镀技术电子芯片屏蔽层结构实现了射频产品不用外加金属屏蔽罩就拥有极好的抗电磁干扰能力，显著降低了成本，与传统工艺相比不仅显著提高了材料利用率，节省了封装成本，而且节约80％以上的工艺时间。
【技术实现步骤摘要】
电子芯片屏蔽层结构
本专利技术涉及电磁屏蔽的
，更具体地说，本专利技术涉及一种电子芯片屏蔽层 结构及其制造方法。
技术介绍
电磁波干扰（EMI)及无线电波干扰（RFI)在现代信息社会中普遍存在。而随着电 子产品内部集成电路芯片的集成度越来越高，电子产品也越来越小型化，但其功能却越发 强大，由此而产生的电磁波强度也相应提高，其会直接或间接引发电子元器件，电气设备产 生误动操作或系统失灵。在微电子工业高速发展时代，电磁屏蔽层是防止电磁波污染所必 需的防护手段，一般1C芯片塑胶体是不导电的，对电磁场几乎没有屏蔽作用。如图1所示， 目前比较长采用的手段是外置金属屏蔽罩，这种方式屏蔽性能好，但存在比重大，价格贵， 易腐蚀，屏蔽性能难于调节等缺点。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种电子 芯片屏蔽层结构。本专利技术所述的屏蔽层结构能够显著提高射频信号芯片（PA module，FEM module)产品抗电磁干扰（EMI)能力，其不仅显著降低了封装成本，而且还可以提供该类型 产品更佳的电气性能。 为了解决上述技术问题并实现上述专利技术目的，本专利技术采用了以下技术方案： -种电子芯片屏蔽层结构，所述电子芯片采用环氧树脂封装，其特征在于：在所述 环氧树脂表面溅射沉积有铜镀层，在所述铜镀层表面电镀形成有锡-镍-钴电磁屏蔽层。 其中，所述铜镀层的厚度为8?20nm，并且所述铜镀层采用直流溅射、磁控溅射或 射频溅射沉积得到。 其中，所述锡-镍-钴电磁屏蔽层的厚度为100?ΙΟΟΟμ--，优选地，所述电磁屏蔽 层的厚度为200?500 μ m，更优选地，所述电磁屏蔽层的厚度为250?300 μ m。 其中，所述电磁屏蔽层使用的电镀液的组成为焦磷酸亚锡：28?32g/L，二氯化 锡：8?10g/L，硫酸钴：10?12g/L，硫酸镍：35?40g/L，氨基磺酸：1· 0?1. 5g/L，氨基乙 酸：1. 0?1. 5g/L，氟化铵：1. 5?2. 0g/L，硼酸：3?5g/L，酒石酸钾钠：3?5g/L，苯磺酸 钠：1. 2?1. 5g/L，十六烷基三甲基溴化铵：8?12g/L ;电镀时镀液温度为72?80°C，阴极 电流密度为3. 5?5. OAdnT2。 作为优选地，为了提高附着性，在溅射铜镀层之前，先在所述环氧树脂表面涂覆粘 结剂形成，并且形成的粘结剂层的厚度为50?200 μ m。 与现有技术相比，本专利技术所述的电子芯片屏蔽层结构具有以下有益的技术效果： (1)本专利技术采用溅镀+电镀技术快速电子芯片屏蔽层结构实现了射频产品不用外 加金属屏蔽罩就拥有极好的抗电磁干扰能力，显著降低了成本。 (2)本专利专利技术所述的屏蔽层结构与传统工艺相比不仅显著提高了材料利用率， 节省了封装成本，而且节约80 %以上的工艺时间。 【附图说明】 图1 :现有技术中的电子芯片金属屏蔽罩的结构不意图。 图2 :本专利技术所述的电子芯片屏蔽层结构的结构示意图。 【具体实施方式】 下面将结合附图和具体的实施例对本专利技术所述的电子芯片屏蔽层结构的制备工 艺及其性能等进行详细描述，但附图以及具体实施例不作为对本专利技术专利的限定。 如附图2所示，本专利技术涉及一种电子芯片屏蔽层结构，所述电子芯片采用环氧树 脂封装，在所述环氧树脂表面溅射沉积有铜镀层，在所述铜镀层表面电镀形成有锡-镍-钴 电磁屏蔽层。其中，所述铜镀层的厚度为8?20nm，并且所述铜镀层采用直流溅射、磁控溅 射或射频溅射在减压条件下制备得到的，所述的铜镀层为后续的电镀层提供导电的金属底 层。而所述锡-镍-钴电磁屏蔽层的厚度为100?ΙΟΟΟμπι，优选地，所述电磁屏蔽层的厚 度为200?500 μ m，更优选地，所述电磁屏蔽层的厚度为250?300 μ m。如此可以给射频 芯片提供有效的电磁屏蔽功能，在1000?2000MHz的频段，电磁屏蔽的效果可以达到20? 30dB，不仅能够替代传统的屏蔽罩结构，而且显著降低了材料成本，并提高了封装效率，节 约了封装成本。 在本专利技术中，所述电磁屏蔽层使用的电镀液的组成为焦磷酸亚锡：28?32g/L，二 氯化锡：8?10g/L，硫酸钴：10?12g/L，硫酸镍：35?40g/L，氨基磺酸：1· 0?1. 5g/L，氨 基乙酸：1. 0?1. 5g/L，氟化铵：1. 5?2. Og/L，硼酸：3?5g/L，酒石酸钾钠：3?5g/L，苯磺 酸钠：1. 2?1. 5g/L，十六烷基三甲基溴化铵：8?12g/L，和余量的水；电镀时镀液温度为 72?80°C，阴极电流密度为3. 5?5. OAdnT2。 申请人:发现采用上述电镀液不仅能够得到致 密平滑的镀层，而且与Sn镀层相比，显著提高了屏蔽效果，尤其是提高了高频电磁波的屏 蔽效果。此外，为了提高附着性，在溅射铜镀层之前，先在所述环氧树脂表面涂覆粘结剂形 成粘结层，并且形成的粘结层的厚度为50?200 μ m。在本专利技术中所述的粘结剂含有18? 20质量份的异佛尔酮二异氰酸酯季铵盐改性环氧树脂（固含量为70% )，10?12质量份 的双酚A型环氧树脂（环氧当量为450)，0.8?1.2质量份的二乙醇胺，8.0?10. Owt%的 甲基丙烯酸-2-羟丙酯，2. 5?3. 0质量份的4,4,-二氨基二环己基甲烷，3. 2?3. 5质量 份的甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯，20?25质量份的醋酸乙酯，和5?7质量份的碳酸二甲 酯。 实施例1 在本实施例中，电子芯片采用环氧树脂封装，在所述环氧树脂表面采用磁控溅射 方法沉积约l〇nm的铜镀层，在所述铜镀层表面电镀形成约280 μ m的锡-镍-钴电磁屏蔽 层。电镀条件如下：组成：焦磷酸亚锡：28g/L，二氯化锡：10g/L，硫酸钴：10g/L，硫酸镍 ： 35g/L，氨基磺酸：1. 0g/L，氨基乙酸：1. 5g/L，氟化铵：1. 5g/L，硼酸：3. 0g/L，酒石酸钾钠： 5. 0g/L，苯磺酸钠：1. 2g/L，十六烷基三甲基溴化铵：8. 0g/L ;镀液温度为75°C，阴极电流密 度为 5. OAdnT2。 实施例2 在本实施例中，电子芯片采用环氧树脂封装，在所述环氧树脂表面采用磁控溅射 方法沉积约l〇nm的铜镀层，在所述铜镀层表面电镀形成约280 μ m的锡-镍-钴电磁屏 蔽层。电镀条件如下：组成：焦磷酸亚锡：32g/L，二氯化锡：8g/L，硫酸钴：12g/L，硫酸镍 ： 40g/L，氨基磺酸：1. 5g/L，氨基乙酸：1. Og/L，氟化铵：2. Og/L，硼酸：3. Og/L，酒石酸钾钠： 3. Og/L，苯磺酸钠：1. 5g/L，十六烷基三甲基溴化铵：12. Og/L ;镀液温度为75°C，阴极电流 密度为5. OAdnT2。 实施例3 在本实施例中，电子芯片采用环氧树脂封装，在所述环氧树脂表面采用磁控溅射 方法沉积约l〇nm的铜镀层，在所述铜镀层表面电镀形成约280 μ m的锡-镍-钴电磁屏 蔽层。电镀条件如下：组成：焦磷酸亚锡：30g/L，二氯化锡：8g/L，硫酸钴：10g/L，硫酸镍 ： 36g/L，氨基磺本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子芯片屏蔽层结构，所述电子芯片采用环氧树脂封装，其特征在于：在所述环氧树脂表面溅射沉积有铜镀层，在所述铜镀层表面电镀形成有锡‑镍‑钴电磁屏蔽层。
【技术特征摘要】
1. 一种电子芯片屏蔽层结构，所述电子芯片采用环氧树脂封装，其特征在于：在所述 环氧树脂表面溅射沉积有铜镀层，在所述铜镀层表面电镀形成有锡-镍-钴电磁屏蔽层。2. 根据权利要求1所述的电子芯片屏蔽层结构，其特征在于：所述铜镀层的厚度为 8?20nm，并且所述铜镀层采用直流溅射、磁控溅射或射频溅射沉积得到。3. 根据权利要求1所述的电子芯片屏蔽层结构，其特征在于：所述锡-镍-钴电磁屏 蔽层的厚度为100?1000 μ m，优选地，所述电磁屏蔽层的厚度为200?500 μ m。4. 根据权利要求1所述的电子芯片屏蔽层结构，其特征在于：所述电磁屏蔽层使用的 电镀液的组成为焦磷酸亚锡：28?32g/L，二氯化...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭桂冠，
申请(专利权)人：苏州日月新半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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