集成电路转接装置制造方法及图纸

一种集成电路转接装置。所述集成电路转接装置包括装置连接结构、吸嘴连接结构以及真空通道。所述装置连接结构经配置以连接至集成电路制造装置上。所述吸嘴连接结构从所述装置连接结构的一端延伸。所述吸嘴连接结构经配置以接收吸嘴。所述装置连接结构和所述吸嘴连接结构所包围的中空区域定义为真空通道，所述真空通道贯通所述装置连接结构和所述吸嘴连接结构。构。构。

【技术实现步骤摘要】
集成电路转接装置


[0001]本申请是有关于一种装置，详细来说，是有关于一种集成电路转接装置。

技术介绍

[0002]在集成电路制造领域中，不同型号的集成电路制造机台(如上片机等)通常会使用吸嘴来吸取芯片以进行工艺，然而，不同型号的集成电路制造机台所使用的吸嘴通常为不同结构，各机台间的吸嘴无法通用。也就是说，使用各个厂家的机台就必须使用对应的吸嘴，如此造成管理不便以及成本上升的问题。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请提出一种集成电路转接装置来解决上述问题。
[0004]依据本申请的一实施例，提出一种集成电路转接装置。所述集成电路转接装置包括装置连接结构、吸嘴连接结构以及真空通道。所述装置连接结构经配置以连接至集成电路制造装置上。所述吸嘴连接结构从所述装置连接结构的一端延伸。所述吸嘴连接结构经配置以接收吸嘴。所述装置连接结构和所述吸嘴连接结构所包围的中空区域定义为真空通道，所述真空通道贯通所述装置连接结构和所述吸嘴连接结构。
[0005]依据本申请的一实施例，所述装置连接结构包括主体部分以及从所述主体部分的顶面突出延伸的凸起件。
[0006]依据本申请的一实施例，所述凸起件经配置以与所述集成电路制造装置的对应件固定连接。
[0007]依据本申请的一实施例，所述凸起件的数量多于一个，并且所述凸起件对称设置于所述顶面上。
[0008]依据本申请的一实施例，所述真空通道的一端开口位于所述顶面上。
[0009]依据本申请的一实施例，所述装置连接结构包括主体部分以及从所述主体部分的顶面的中心突出延伸的柱状体。
[0010]依据本申请的一实施例，所述顶面上包括螺纹结构，所述螺纹结构经配置以与所述集成电路制造装置的对应件螺纹连接。
[0011]依据本申请的一实施例，所述真空通道的一端开口位于所述柱状体的上表面。
[0012]依据本申请的一实施例，所述真空通道的一端开口位于所述吸嘴连接结构的底面。
[0013]依据本申请的一实施例，所述真空通道位于所述吸嘴连接结构内的部分的尺寸和形状对应所述吸嘴的中间柱体的尺寸和形状，其中所述吸嘴嵌入所述真空通道位于所述吸嘴连接结构内的所述部分。
[0014]依据本申请的一实施例，所述集成电路转接装置还包括吸嘴固定结构。所述吸嘴固定结构经配置以固定所述吸嘴。
[0015]依据本申请的一实施例，所述吸嘴固定结构包括固定条。
[0016]依据本申请的一实施例，所述固定条设置在所述吸嘴连接结构的底面，并且经配置以嵌入所述吸嘴的卡槽中。
[0017]依据本申请的一实施例，所述固定条设置在所述装置连接结构的侧面和/或所述吸嘴连接结构的侧面。
附图说明
[0018]附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：
[0019]图1演示依据本申请一实施例的集成电路转接装置的方块示意图。
[0020]图2A、2B和2C分别演示依据本申请一实施例的集成电路转接装置的结构剖视图、俯视图和仰视图。
[0021]图3A、3B和3C分别演示依据本申请另一实施例的集成电路转接装置的结构剖视图、俯视图和仰视图。
[0022]图4演示依据本申请一实施例的集成电路转接装置的方块示意图。
[0023]图5演示依据本申请一实施例的集成电路转接装置的结构剖视图。
[0024]图6演示依据本申请另一实施例的集成电路转接装置的结构剖视图。
具体实施方式
[0025]以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
[0026]再者，在此处使用空间上相对的词汇，譬如「之下」、「下方」、「低于」、「之上」、「上方」及与其相似者，可能是为了方便说明图中所绘示的一组件或特征相对于另一或多个组件或特征之间的关系。这些空间上相对的词汇其本意除了图中所绘示的方位之外，还涵盖了装置在使用或操作中所处的多种不同方位。可能将所述设备放置于其他方位(如，旋转90度或处于其他方位)，而这些空间上相对的描述词汇就应该做相应的解释。
[0027]虽然用以界定本申请较广范围的数值范围与参数皆是约略的数值，此处已尽可能精确地呈现具体实施例中的相关数值。然而，任何数值本质上不可避免地含有因个别测试方法所致的标准偏差。在此处，「约」通常系指实际数值在一特定数值或范围的正负10％、5％、1％或0.5％之内。或者是，「约」一词代表实际数值落在平均值的可接受标准误差之内，视本申请所属
中具有通常知识者的考虑而定。当可理解，除了实验例之外，或除非另有明确的说明，此处所用的所有范围、数量、数值与百分比(例如用以描述材料用量、时间长短、温度、操作条件、数量比例及其他相似者)均经过「约」的修饰。因此，除非另有相反的说明，本说明书与附随权利要求书所揭示的数值参数皆为约略的数值，且可视需求而更动。
至少应将这些数值参数理解为所指出的有效位数与套用一般进位法所得到的数值。在此处，将数值范围表示成由一端点至另一端点或介于二端点之间；除非另有说明，此处所述的数值范围皆包括端点。
[0028]图1演示依据本申请一实施例的集成电路转接装置1的方块示意图。在某些实施例中，集成电路转接装置1包括装置连接结构11和吸嘴连接结构12。在某些实施例中，装置连接结构11经配置以连接至集成电路制造装置上，其中集成电路制造装置可以是一种上片机，然而，本申请并不以此为限。在某些实施例中，吸嘴连接结构12从装置连接结构11的一端延伸。在某些实施例中，吸嘴连接结构12经配置以接收吸嘴。在某些实施例中，装置连接结构11和吸嘴连接结构12所包围的中空区域定义为真空通道，其中真空通道贯通装置连接结构11和吸嘴连接结构12。
[0029]本申请提出的集成电路转接装置1通过装置连接结构11连接集成电路制造装置并通过吸嘴连接结构12连接吸嘴，如此一来可应用于各种不同型号的集成电路制造装置以及不同结构的吸嘴，以解决管理不便以及成本上升的问题。
[0030]图2A、2B和2C分别演示依据本申请一实施例的集成电路转接装置1的结构剖视图、俯视图和仰视图。在某些实施例中，装置连接结构11包括主体部分111和凸起件112。在某些实施例中，凸起件112从主体部分111的顶面s11t突出延伸。在某些实施例中，凸起件112的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路转接装置，其特征在于，包括：装置连接结构，经配置以连接至集成电路制造装置上；吸嘴连接结构，从所述装置连接结构的一端延伸，其中所述吸嘴连接结构经配置以接收吸嘴；其中所述装置连接结构和所述吸嘴连接结构所包围的中空区域定义为真空通道，所述真空通道贯通所述装置连接结构和所述吸嘴连接结构。2.如权利要求1所述的集成电路转接装置，其特征在于，所述装置连接结构包括主体部分以及从所述主体部分的顶面突出延伸的凸起件。3.如权利要求2所述的集成电路转接装置，其特征在于，所述凸起件经配置以与所述集成电路制造装置的对应件固定连接。4.如权利要求2所述的集成电路转接装置，其特征在于，所述凸起件的数量多于一个，并且所述凸起件对称设置于所述顶面上。5.如权利要求2所述的集成电路转接装置，其特征在于，所述真空通道的一端开口位于所述顶面上。6.如权利要求1所述的集成电路转接装置，其特征在于，所述装置连接结构包括主体部分以及从所述主体部分的顶面的中心突出延伸的柱状体。7.如权利要求6所述的集成电路转接装置，其特征在于，所述顶面上包括螺纹...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄国胜，
申请(专利权)人：苏州日月新半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：