一种引线键合去除的方法技术

一种引线键合去除的方法，包括：执行步骤S1：整理半导体衬底上的引线键合，避免引线键合之间叠置；执行步骤S2：在所述半导体衬底之表面涂覆丙酮溶液；执行步骤S3：在涂覆丙酮溶液之半导体衬底上黏附复制胶带；执行步骤S4：静置后并将所述复制胶带剥离，所述引线键合伴随所述复制胶带脱离所述半导体衬底。本发明专利技术引线键合去除的方法通过在具有引线键合的半导体衬底上涂覆丙酮溶液，并黏附复制胶带，不仅可将引线键合彻底去除，而且不会损失半导体衬底和金属焊垫，保证后续测试不受影响，避免潜在风险，值得推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及。
技术介绍
微电子器件芯片的键合工序，是指在一定温度下采用超声波加压的方法将键合引线两端分别焊接在芯片和引线框架引脚上，实现芯片内部电路与外部电路的连接。对于代工厂的失效分析工作而言，多数情况下在进行分析时需要把芯片上的引线键合去除才能进行后续的电性能测试、去层次分析等工作。当前，常用的引线键合去除方法主要是手动拔出和酸液腐蚀两种，但是这两种方法随着半导体产业的发展，其不足也逐渐显露。例如，随着芯片集成度增高，芯片的引线数量也逐渐增多，这种情况下手动拔出键合丝很难将所有键合全部拔净，残留的键合丝极有可能导致金属垫片之间形成短路。另外，手动拔出键合丝经常会在芯片上残留部分键合丝，残留的键合丝还会影响去层次的均匀度，对失效分析工作造成不良的影响。对于酸液腐蚀，其虽然可以将键合丝全部去除，但由于所用的酸腐蚀性极强，金属垫片上的铝层也会被一并腐蚀。特别地，对于去除作为金属键合的金线所使用的王水，甚至可能将芯片的金属层腐蚀，破坏样品的原始状态，使得分析无法继续进行。更严重地，酸液腐蚀操作对作业人员本身具有一定的潜在风险，存在安全隐患，一旦酸液喷溅在身上，后果将不堪设想。寻求一种操作简单、使用方便，并可保证作业人员安全的引线键合去除方法已成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本专利技术。
技术实现思路
本专利技术是针对现有技术中，传统的的引线键合去除之方法，存在引线键合手动拔除不彻底，易于短路；或者酸液去除，易于腐蚀其他金属层等缺陷提供。为实现本专利技术之目的，本专利技术提供，所述引线键合去除的方法，包括:执行步骤S1:整理半导体衬底上的引线键合，避免引线键合之间叠置；执行步骤S2:在所述半导体衬底之表面涂覆丙酮溶液；执行步骤S3:在涂覆丙酮溶液之半导体衬底上黏附复制胶带；执行步骤S4:静置后并将所述复制胶带剥离，所述引线键合伴随所述复制胶带脱离所述半导体衬底。可选地，所述的引线键合去除的方法，进一步包括:执行步骤S5:循环执行步骤S2?步骤S4，去除引线键合。可选地，所述复制胶带为醋酸纤维素复制胶带。可选地，涂覆在所述半导体衬底之上的丙酮溶液级别为分析纯。可选地，在所述步骤SI中，采用棉棒或者无尘布将所述半导体衬底上的引线键合进行整理，避免引线键合之间叠置。可选地，在步骤S4中，所述静置的时间大于或者等于lmin。可选地，所述半导体衬底内的功能电路为处理器、控制电路、片上系统(SoC)、存储器(DRAM)的至少其中之一。可选地，所述半导体衬底为硅基衬底或者砷化镓。可选地，所述引线键合为铝、铜、金的其中之一材料制备。综上所述，本专利技术引线键合去除的方法通过在具有引线键合的半导体衬底上涂覆丙酮溶液，并黏附复制胶带，不仅可将引线键合彻底去除，而且不会损失半导体衬底和金属焊垫，保证后续测试不受影响，避免潜在风险，值得推广应用。【附图说明】图1所示为本专利技术具有引线键合的芯片之结构示意图；图2所示为本专利技术引线键合去除的方法之流程图；图3(a)?3(b)所示为待引线键合去除的芯片示意图；图4(a)?4(b)所示为引线键合去除的芯片示意图；图5(a)?5(b)所示为引线键合去除的阶段性示意图。【具体实施方式】为详细说明本专利技术创造的
技术实现思路
、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。请参阅图1，图1所示为本专利技术具有引线键合的芯片之结构示意图。所述芯片1，包括:形成在所述半导体衬底10内的功能电路(未图示)，且所述功能电路通过金属焊垫11，并藉由引线键合12与外部引线(未图示)电连接。所述功能电路包括但不限于处理器、控制电路、片上系统(SoC)、存储器(例如DRAM)等。所述半导体衬底10包括但不限于硅、砷化镓或其他材料形成。作为本领域技术人员，容易理解地，在对所述芯片I进行失效分析时，均需要将所述芯片I上的引线键合12去除，方可进行电性能测试、去层次分析工作等。但是，现有的引线键合去除的方法，存在引线键合手动拔除不彻底，易于短路；或者酸液去除，易于腐蚀其他金属层等缺陷。故，本专利技术提供。请参阅图2，并结合参阅图1，图2所示为本专利技术引线键合去除的方法之流程图。所述引线键合去除的方法，包括:执行步骤S1:整理所述半导体衬底10上的引线键合12，避免引线键合12之间叠置；执行步骤S2:在所述半导体衬底10之表面涂覆丙酮溶液；执行步骤S3:在涂覆丙酮溶液之半导体衬底10上黏附复制胶带；执行步骤S4:静置后并将所述复制胶带剥离，所述引线键合12伴随所述复制胶带脱离所述半导体衬底10 ;明显地，当在执行步骤S4时，所述引线键合12未能彻底的脱离所述半导体衬底10，则所述引线键合去除的方法，进一步包括:执行步骤S5:循环执行步骤S2?步骤S4，去除引线键合12。为了更直观的揭露本专利技术之技术方案，凸显本专利技术之有益效果，现结合【具体实施方式】，对本专利技术引线键合去除的方法之原理进行阐述。在【具体实施方式】中，所述芯片I之结构、金属焊垫11之数量、引线键合12之数量等仅为列举，不应视为对本专利技术技术方案的限制。作为具体的实施方式，所述引线键合12包括但不限于铝、铜、金的导电材料形成。在所述步骤SI中，采用棉棒或者无尘布将所述半导体衬底10上的引线键合12进行整理，避免引线键合12之间叠置。在所述步骤S2中，涂覆在所述半导体衬底10之的丙酮溶液级别为分析纯。在步骤S3中，具有涂覆丙酮溶液之半导体衬底10上黏附复制胶带，所述复制胶带与所述丙酮溶液发生反应，所述复制胶带便发生收缩，加固与所述半导体衬底10之间的黏附力。更具体地，所述复制胶带为醋酸纤维素复制胶带。在步骤S4中，静置以使得所述复制胶带与所述引线键合12充分黏附，便于剥离，优选地，所述静置的时间大于或者等于 Imin0请参阅图3(a)?3(b)、图4(a)?4 (b)，以及图5 (a)?5(b)，并结合参阅图1，图3(a)?3(b)所示为待引线键合去除的芯片示意图。图4(a)?4(b)所示为引线键合去除的芯片示意图。图5(a)?5(b)所示为引线键合去除的阶段性示意图。由图3(a)?3 (b)、图4(a)?4(b)可知，通过本专利技术引线键合去除的方法，不仅将所述芯片I上的引线键合12彻底去除，而且不会对所述芯片I造成损伤，对后续之分析无不利影响。由图4(a)?4(b)进一步可知，在保证所述引线键合12去除的前提下，所述金属焊垫11未被破坏，不会影响后续测试。由图5(a)?5(b)可知，本专利技术引线键合去除的方法，通过所述复制胶带13将所述引线键合12黏附，并从所述半导体衬底10上脱离。明显地，本专利技术引线键合去除的方法通过在具有引线键合12的半导体衬底10上涂覆丙酮溶液，并黏附复制胶带13，不仅可将引线键合12彻底去除，而且不会损失半导体衬底10和金属焊垫11，保证后续测试不受影响，避免潜在风险，值得推广应用。综上所述，本专利技术引线键合去除的方法通过在具有引线键合的半导体衬底上涂覆丙酮溶液，并黏附复制胶带，不仅可将引线键合彻底去除，而且不会损失半导体衬底和金属焊垫，保证后续测试不受影响，避免潜在风险，值得推广应用。本领域技术人员均应了解，在不脱离本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种引线键合去除的方法，其特征在于，所述引线键合去除的方法，包括：执行步骤S1：整理半导体衬底上的引线键合，避免引线键合之间叠置；执行步骤S2：在所述半导体衬底之表面涂覆丙酮溶液；执行步骤S3：在涂覆丙酮溶液之半导体衬底上黏附复制胶带；执行步骤S4：静置后并将所述复制胶带剥离，所述引线键合伴随所述复制胶带脱离所述半导体衬底。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘迪，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31