一种含有硅通孔的压力传感器封装结构制造技术

本发明专利技术提出一种含有硅通孔的压力传感器封装结构，用硅底座代替传统的硼磷硅玻璃基座，采用倒装焊技术、键合技术（如CuSn键合、AuSn共晶键合、Cu-Cu键合、Au-Au键合等）实现压力传感器的气密性真空封装；采用单环和双环式键合金属环封装，在保证测试灵敏度的情况下，对于不同压阻条分布的压力传感器封装起到了减小键合应力的作用；采用导电柱替代金属引线作为信号引出线，增加了互连可靠性。本发明专利技术相对于传统采用硅玻静电键合技术、金属引线键合技术、金属隔离膜技术和密闭腔充灌硅油技术的封装结构，取消了充灌硅油和金属隔离膜，有利于提升压力传感器灵敏度，也可用于动态压力检测，同时具有体积小、集成度高的优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种含有硅通孔的压力传感器封装结构，其特征在于，包括硅底座和压力传感器芯片，在硅底座上设有通孔，其内填充有导电材料，形成导电柱；导电柱上表面制备导电微凸点；所述导电微凸点的外围有一圈气密性材料构成的键合金属环；所述压力传感器芯片倒装键合在所述硅底座上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振华，陈兢，金玉丰，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：