半导体器件制作工艺制造技术

本发明专利技术金属腐蚀工艺消除了使用有机掩模层溶剂的必要性并在等离子金属腐蚀步骤之后用腐蚀液对部分隔离层（６８、８１）进行腐蚀。此腐蚀液可包括乙二醇、氢氟酸和氟化铵。腐蚀液对隔离层（６８、８１）的腐蚀范围为１００－９００Ａ。腐蚀至少消除掉隔离层（６８、８１）中游离子的７５％，而且应能清除游离离子的至少９５％。此工艺可采用酸罩、酸相容喷淋器或潭状处理器来完成。一种类似的工艺可以用于抗蚀剂回蚀工艺顺序。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到制造半导体器件的工艺，更确切地说是形成半导体器件中的隔离层和互连的工艺。互连可使半导体器件的各个部分同其它部分电连接起来。不幸的是，制作互连的工艺通常会引入游离离子，使器件可靠性降低。诸如钠、锂、钾、钙和镁的游离离子常常有两个来源金属腐蚀步骤和通常用来清除光抗蚀掩模层的有机溶剂。本
熟练技术人员都知道，金属腐蚀步骤中引入的游离离子只存在于隔离层或金属腐蚀处理中形成的互连的暴露表面上。在清除光致抗蚀剂之后用去离子水迅速冲洗实际上应能清除暴露表面上的所有游离离子。但在清除光致抗蚀剂之后仅仅进行了去离子水冲洗的半导体器件仍然存在不能令人满意的器件可靠性问题。有机掩模层溶剂含有游离离子。如本专利技术书中所采用的，有机掩模层溶剂是一种能够容易地清除有机掩模层(即光致抗蚀剂等)的化学药品。有机掩模层溶剂的例子包括酮类(2-丙酮(丙酮)等)、脂族烃类(正庚烷等)、氨基碱金属类(氢氧化四甲铵等)以及芳基烃类(甲苯、酚等)。非有机掩模层溶剂的例子包括醇类(甲醇、乙醇、2-丙醇(异丙醇)之类)以及甘醇类(甲二醇(亚甲基二醇)、1、2-乙二醇(乙二醇)、1，2-丙二醇等)。后者本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作半导体器件的工艺，其特征在于下列步骤： 在半导体衬底（２０）上制作一个第一隔离层（２８，７１）； 在第一隔离层（２８、７１）上沉积一个含金属层（４１）； 在含金属层上制作一个图形化的有机掩模层（４２１、４２２），从而形成含金属层（４１）的暴露部分； 用含卤化物的等离子腐蚀剂腐蚀含金属层（４１）的暴露部分以形成互连元件（４１１、４１２、７５）； 用等离子气体而不用有机掩模层溶剂清除图形化的有机掩模层（４２１、４２２）； 用含氟化物的溶液腐蚀一部分第一隔离层（２８、７１），在此步骤中： 至少腐蚀掉１００Ａ第一隔离层（６８、８１）；且该步骤在腐蚀暴露...

【技术特征摘要】
US 1994-3-28 2191231.一种制作半导体器件的工艺，其特征在于下列步骤在半导体衬底(20)上制作一个第一隔离层(28，71)；在第一隔离层(28、71)上沉积一个含金属层(41)；在含金属层上制作一个图形化的有机掩模层(421、422)，从而形成含金属层(41)的暴露部分；用含卤化物的等离子腐蚀剂腐蚀含金属层(41)的暴露部分以形成互连元件(411、412、75)；用等离子气体而不用有机掩模层溶剂清除图形化的有机掩模层(421、422)；用含氟化物的溶液腐蚀一部分第一隔离层(28、71)，在此步骤中至少腐蚀掉100 第一隔离层(68、81)；且该步骤在腐蚀暴露部分步骤之后和互连元件(411、412、75)上制作任何层之前进行；以及在互连元件上制作一个第二隔离层(71、82)。2.一种制作半导体器件的工艺，其特征在于下列步骤在半导体衬底上制作一个第一隔离层(28、71);在第一隔离层(28、71)上沉积一个含金属层(41);在含金属层(41)上制作一个图形化的有机掩模层(421、422)，从而形成含金属层(41)的暴露部分;用含卤化物的等离子腐蚀剂对含金属层(41)的暴露部分进行腐蚀，以形成互连元件(411、412、75);用等离子气体而不用有机掩模层溶剂清除图形化的有机掩模层(421、422);用含氟化物的溶液腐蚀一部分第一隔离层(28、71...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡尔E莫茨，杰弗里G卡登海德，托马斯M艾伦，亚当H史蒂文斯，
申请(专利权)人：摩托罗拉公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]