【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体结构，特别是涉及改变某些半导体层晶界的取向。一种在半导体工业和在模拟射频(RF)器件工业中特别有用的器件是外延基区双极晶体管。在某些结构中，外延基区双极晶体管包括由邻近多晶硅部分的外延部分组成的基区。一种晶体的“晶界”存在于多晶部分和基区的外延部分之间的界面处。晶界有一个特别的取向。这种取向的特性对器件的基区电阻(Rb)有着明显的影响。本领域技术人员众所周知，对射频器件来说，基区电阻影响重要的特性参数，例如，功率增益和噪声数值。故希望把Rb减到最小。因此，需要一种用于影响和改变半导体层中晶界取向的方法，特别是用于影响和改变外延基区双极晶体管基区中晶界取向的方法，以便有利地影响Rb。附图说明图1是外延基区双极晶体管的一部分的剖面图。图2-5是表示制造过程的各步骤中一种外延基区双极晶体管一部分的剖面图。图6-8是表示按照另一种制造方法制造的各步骤中外延基区双极晶体管的一部分的剖面图。图9-11是表示按照又一种制造方法的各工艺步骤中外延基区双极晶体管的一部分的剖面图。图1是外延基区双极晶体管的一部分的剖面图。图1表示按照本专利技术优选的方法制造...
【技术保护点】
一种制造半导体结构（１０）的方法，其特征是包括下列步骤： 设置底层结构（１６），包括外延区（１１）和相邻的隔离区（１３），该外延区与隔离区在界面（５０）处相接； 在底层结构（１６）上面形成半导体层（１７），半导体层（１７）包括起源于界面（５０）处的晶界（３８），该晶界（３８）有一个取向；以及 改变晶界的取向。
【技术特征摘要】
US 1994-2-28 2030941.一种制造半导体结构(10)的方法，其特征是包括下列步骤设置底层结构(16)，包括外延区(11)和相邻的隔离区(13)，该外延区与隔离区在界面(50)处相接；在底层结构(16)上面形成半导体层(17)，半导体层(17)包括起源于界面(50)处的晶界(38)，该晶界(38)有一个取向；以及改变晶界的取向。2.按照权利要求1的一种方法，其中，晶界(38)在界面(50)处有一个起点，晶界取向有一个方向，所述改变晶界取向的步骤包括不移动晶界起点而改变晶界的方向。3.根据权利要求1的一种方法，其中晶界(38)在界面(50)处有一个起点，晶界取向有一个方向，所述改变晶界取向的步骤包括改变方向并移动起点。4.根据权利要求3的一种方法，其特征是包括下列步骤在半导体层(17)上面形成基区层(21)，在基区层中心部分上面形成掩模(62)，以及向基区层(21)注入杂质(63)。5.一种制造半导体结构(10)的方法，其特征是包括下列步骤设置底层结构(16)，该底层结构包括具有一个中心(11)的有源层(12)和隔离层(13);在底层结构(...
【专利技术属性】
技术研发人员：埃道德D德弗里萨特，约翰W斯蒂尔，N戴维西奥多，
申请(专利权)人：摩托罗拉公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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