半导体晶片的热处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体晶片未测试电阻之前，对晶片进行热处理的装置。该热处理装置包括：加热室、等待室、及盒体台面；加热盘用于装晶片，并运送晶片进入加热室；运送加热盘的加热盘运送器在等待室和加热室之间移动；晶片装料机构是将盒体中的晶片装入加热盘；晶片卸料机构则是将加热盘中的晶体取出，并装入盒体。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体晶片的热处理装置，特别涉及能同时处理多个半导体晶片的热处理装置。通常，在每一批晶片多掺杂工艺过程中，分别从两端和中部选取三个晶片，用作晶片监视器，测试经热处理后的阻值。由于半导体晶片没有专门的热处理装置，因此用于扩散工艺的装置也用作晶片的热处理。如附图说明图1所示，是一种传统的半导体晶片的热处理装置，在热处理装置1的一边有前门3，装满晶片的盒体放在盒架2上。(图1未表示该盒体)。盒架2上的盒体由自动盒体输送器向上送至上盒端5并固定。上盒端5的盒体由自动盒体输送器4向下送至下盒端6。晶片转移装置7将下盒端6处盒体里的晶片取出，然后放入加热盘8，由加热盘升降装置9将装有晶片的加热盘8送入加热容器10。当晶片的热处理程序完成以后，加热盘升降装置9使加热盘8离开加热容器向下移动。而且，由晶片转移装置7将加热盘8里的晶片移至下盒端6的盒体里，自动盒体输送器4又把该盒体向上送到上盒端5。如上所述，由于传统的热处理装置结构复杂，因此，一个循环工序需要相当长的时间。另外，由于传统的热处理装置每一个循环只处理3个晶片，即每个循环处理的晶片数有限，因而也影响其加工周期。甚至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片的热处理装置，用该装置对半导体晶片进行成批热处理，其包括： 一个加热室，一个等待室，及与其连为一体的盒体台面； 一个装有晶片的加热盘放在所述的加热室； 一个加热盘输送装置使所述的加热盘在等待室和加热室之间移动； 晶片装料机构是将盒体中的晶片装入加热盘；而 晶片卸料机构则是将加热盘中的晶片卸出放到盒体中。

【技术特征摘要】
KR 1996-9-5 38477/961.一种半导体晶片的热处理装置，用该装置对半导体晶片进行成批热处理，其包括一个加热室，一个等待室，及与其连为一体的盒体台面；一个装有晶片的加热盘放在所述的加热室；一个加热盘输送装置使所述的加热盘在等待室和加热室之间移动；晶片装料机构是将盒体中的晶片装入加热盘；而晶片卸料机构则是将加热盘中的晶片卸出放到盒体中。2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于加热门设在加热室和等待室之间，而前门设在等待室和盒体台面之间。3.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于在盒体台面上装有一些开关和一台监视工艺过程的监视器。4.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于所述的晶片装料机构包括一对用钢丝绳连接的传动轮；一个可正反转的驱动传动轮的低速电机；以及一个装晶片的装料推杆固...

【专利技术属性】
技术研发人员：南基钦，李炳官，金东浩，安雄宽，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]