在半导体晶片上形成光刻胶图形的方法技术

本发明专利技术公开了用远紫外辐射在半导体晶片上形成光刻胶图形、以防止光刻胶图形在构图过程中烧毁的更有效的方法，该方法包括以下步骤：用远紫外辐射对光刻胶图形进行充分的曝光，以控制光刻胶的热流动量；在较高温度下烘烤光刻胶图形，以固化光刻胶图形。即使随后在很高的温度下用光刻胶图形作掩模进行刻蚀工艺，但由于在烘烤前用远紫外辐射对光刻胶图形进行了充分曝光，所以可以防止光刻胶图形的烧毁。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及形成精细光刻胶图形的方法，特别涉及用远紫外辐射在半导体晶片上形成光刻胶图形的更有效的方法。近来随着半导体器件集成度的增加，需要选择性更好的刻蚀技术，以在深台阶上得到精细微小的接触。此时，由于刻蚀腔的温度很高，会产生光刻胶经常烧毁的严重问题。而且，在刻蚀工艺中，还有刻蚀选择性降低的问题，或者刻蚀腔的工艺条件受到严重的限制的问题。因此，为了解决这些问题，提出多层光刻胶形成技术，其中包括在约300℃烘烤底层光刻胶；在比烘烤温度低的温度下于底层光刻胶上淀积内部氧化层，在内部氧化层上形成光刻胶图形，随后用光刻胶层作掩模刻蚀内部氧化层和底层光刻胶层。而且，这种多层光刻胶形成技术需要在随后将刻蚀的层上额外地形成掩模层、在掩模层上形成图形、有选择性地去除掩模层以形成掩模、灰化并剥离光刻胶图形、用掩模层刻蚀下面层。由于这种技术很复杂，从而降低了半导体器件的生产率。另一方面，为了防止在掩模版图上残留宽的光刻胶图形，应该在正胶工艺中用光束曝光宽光刻胶图形。这样，在半导体器件上形成部分台阶。这又会产生新问题，即在形成光刻胶图形时DOF(聚焦深度)的范围减小。还有，由于置于晶片上器件区域外本文档来自技高网...

【技术保护点】
在半导体晶片上形成光刻胶图形的方法，包括以下步骤：用远紫外辐射对光刻胶图形进行充分的曝光，以控制光刻胶的热流动量；以及在较高温度下烘烤光刻胶图形，以固化光刻胶图形。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 1996-8-23 35171/961.在半导体晶片上形成光刻胶图形的方法，包括以下步骤用远紫外辐射对光刻胶图形进行充分的曝光，以控制光刻胶的热流动量；以及在较高温度下烘烤光刻胶图形，以固化光刻胶图形。2.如权利要求1所述的方法，其中所述远紫外...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕起成，南廷林，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]