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本发明公开了用远紫外辐射在半导体晶片上形成光刻胶图形、以防止光刻胶图形在构图过程中烧毁的更有效的方法，该方法包括以下步骤：用远紫外辐射对光刻胶图形进行充分的曝光，以控制光刻胶的热流动量；在较高温度下烘烤光刻胶图形，以固化光刻胶图形。即使随后...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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