【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种适于用在半导体器件成批生产中的、高生产率条件下能实现均匀退火的、高可靠的激光退火方法。更具体地说，本专利技术提供一种其晶性由于在诸如离子照射(ion irradiation)、离子注入和离子掺杂等工艺中受到损伤而严重地劣化的淀积薄膜的激光退火方法。如今，对降低制造半导体器件中的加工温度的方法正广泛地进行研究。对低温加工方法如此积极地研究的原因部分地归因于在例如玻璃制造的绝缘衬底上制备半导体器件所提出的要求。激光退火技术被认为是有前途的主要低温加工方法。但是，激光退火的条件尚未确定，因为传统的激光退火方法是各自独立地在不同条件下进行的，这些条件取决于在每个方法中独立地选择的装置和涂敷条件。这就使得许多人错误地认为，激光退火技术不能给出可靠和一致得足以使该方法实际可行的结果。因此，本专利技术的目的在于首次建立能给出高度再现的结果的激光退火方法的条件。在制造半导体器件的方法中，淀积薄膜极大地受到诸如离子照射、离子注入和离子掺杂等工艺过程的损伤，并由此在晶性方面遭到破坏，从而产生远非所说的半导体的非晶相或类似态。所以，为了将激光退火用于激活这种被损...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，其特征在于，它包括下列步骤： 在整个玻璃衬底上制备多个半导体岛； 将所述半导体岛都掺以离子； 将具有在一个方向上的细长截面的脉动准分子激光束对准所述玻璃衬底； 沿垂直于所述脉动准分子激光束伸长方向的方向移动所述玻璃衬底，从而用所述脉动准分子激光束照射所述半导体岛。
【技术特征摘要】
JP 1992-6-26 193005/92;JP 1992-8-27 252295/921.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，它包括下列步骤在整个玻璃衬底上制备多个半导体岛；将所述半导体岛都掺以离子；将具有在一个方向上的细长截面的脉动准分子激光束对准所述玻璃衬底；沿垂直于所述脉动准分子激光束伸长方向的方向移动所述玻璃衬底，从而用所述脉动准分子激光束照射所述半导体岛。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述脉动准分子激光束的能量密度不大于300毫焦耳/平方厘米。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述离子掺入有选择地将选自由磷和硼组成的元素群的一种杂质加入所述多个半导体岛中。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，各所述半导体岛用所述脉动准分子激光束的多个脉冲照射。5.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，它包括下列步骤在整个玻璃衬底上形成半导体膜；晶化所述半导体膜；将晶化过的半导体膜摹制成多个半导体岛；将所述半导体岛都掺以离子；将具有在一个方向上的细长的截面的脉动准分子激光束对准所述玻璃衬底；沿垂直于所述脉动准分子激光束的延伸方向的方向移动所述玻璃衬底，从而用所述脉动准分子激光束照射所述半导体岛。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述脉动准分子激光束的能量密度不大于300毫焦耳/平方厘米。7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，通过所述离子掺入有选择地将选自由磷和硼组成的元素群的一种杂质加入所述多个半导体岛中。8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，各所述半导体岛用所述脉动准分子激光束的多个脉冲照射。9.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，它包括下列步骤在整个玻璃衬底上制备多个第一半导体岛和多个第二半导体岛；对所述第一和第二半导体岛都进行第一离子掺入，以加入第一种杂质；只对所述第一半导体岛进行第二离子掺入，以加入第二种杂质，其中所述第二种杂质的导电类型与所述第一种杂质的相反；将具有在一个方向上的细长截面的脉动准分子激光束对准所述玻璃衬底；沿垂直于所述脉动准分子激光束延伸方向的方向移动所述玻璃衬底，从而用所述脉动准分子激光束照射所述第一和第二半...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，张宏勇，石原浩朗，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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