半导体器件及其制造方法技术

技术编号:3222740 阅读:142 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
在用激光辐照退火来制作半导体器件中,同时使线状激光沿垂直于一条直线的方向扫描,来完成对半导体材料的退火。在此状态下,因为在对应于一条直线方向的光束横的方向上的退火效果与扫描方向上的退火效果有2倍以上的差异,使多个半导体元件沿线状激光辐照的一直线方向形成。另外,使连接薄膜晶体管的源和漏区的一直线方向与线状激光的线条方向对准。(*该技术在2015年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及采用薄膜半导体来集成诸如晶体管一类器件(元件)的方法,特别涉及采用无散射特性的线状激光束制造多个薄膜器件的方法,并涉及由该技术所制成的薄膜器件。近来,对降低制造半导体器件工艺的温度格外进行了各种研究,因为要求半导体器件必须形成在成本低并具有高加工性能的诸如玻璃一类的绝缘衬底上。为了促进器件的微结构设计和器件的多层结构也要求降低制作半导体器件的工艺温度。在半导体的制作工艺中,往往要求对含在半导体材料中的非晶成分或非晶半导体材料实行结晶化,来恢复原先是结晶的但由于离子辐照而减少了结晶度的半导体材料的结晶性,进一步改善已结晶的半导体材料的结晶度。对于这些要求,利用热退火。当用硅作为半导体材料时,通过在600~1100℃经0.1~48小时以上的退火,来完成非晶材料(成分)的结晶化、结晶性的恢复、结晶度的改善等。在热退火中,当工艺温度增高时,处理时间可设定得短些,然而,在500℃以下可能达不到效果。为降低工艺温度,需要用另一种方法来替代基于热退火的工艺。特别是,当使用玻璃衬底时,因玻璃衬底的耐热温度大约是600℃,要求其余的方法能与工艺温度在600℃以下的常规热退火相类似。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法,包括以下各步骤: 借助使线状激光辐照到半导体薄膜内实行退火,以及 沿线状激光辐照到的区域的长边方向制造多个半导体器体。

【技术特征摘要】
JP 1994-12-16 333876/941.一种半导体器件的制作方法,包括以下各步骤借助使线状激光辐照到半导体薄膜内实行退火,以及沿线状激光辐照到的区域的长边方向制造多个半导体器体。2.一种半导体器件的制作方法,包括辐照线状激光的步骤;其中,通过使线状激光的线条方向与多个导体器件的直线方向对准,把线状激光辐照到将沿至少一条直线方向形成的多个半导体器件的区域内。3.一种半导体器件的制作方法,包括使具有线状图形的激光沿着连接薄膜晶体管内待形成源区和漏区的方向辐照到半导体薄膜内。4.一种半导体器件的制作方法,包括以下各步骤使线状激光辐照到半导体薄膜中;以及制作具有沿着线状激光的线条方向的源、漏区的薄膜晶体管。5.一种半导体器件的制作方法,包括以下各步骤使线状激光辐照到半导体薄膜中,以及制作使载流子沿线状激光线条方向运动的半导体器件。6.一种半导体器件的制作方法,包括以下各步骤将提供一种导电类型的杂质离子引入到薄膜晶体管的源、漏区中;以及沿着连接源区和漏区的方向辐照线状激光。7.根据权利要求1的方法,其中的线状激光是用光学系统使准分子激光形成线状图形而得到的。8.根据权利要求2的方法,其中的线状激光是用光学系统使准分子激光形成线状图形而得到的。9.根据权利要求3的方法,其中的线状激光是用光学系统使准分子激光形成线状图形而得到的。10.根据权利要求4的方法,其中的线状激光是用光学系统使准分子激光形成线状图形而得到的。11.根据权利要求5的方法,其中的线状激光是用光学系统使准...

【专利技术属性】
技术研发人员:山崎舜平楠本直人田中幸一郎
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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