制造半导体器件的方法和半导体器件的制造设备技术

用热壁型加热炉对大直径半导体晶片的快速热处理中，将储热板（１０）预热到热处理温度，然后使晶片８位于一对储热板（１０）之间，或处于紧靠储热板（１０）的附近处，可使晶片表面的温度分布均匀。晶片（８）可以与储热板（１０）接触。因此由来自储热板（１０）的辐射热或传导热加热晶片（８）。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造半导体器件的方法和半导体器件的制造设备。半导体包括硅半导体或化合物半导体。半导体器件包括存储器IC(集成电路)，逻辑IC，和薄膜晶体管IC。制造半导体器件的方法包括以下热处理(a)，在常压下或减压下的CVD(化学汽相淀积)、用于在上述半导体器件用的晶片上形成由半导体材料，绝缘材料，金属，超导材料构成的膜或层(b)扩散，改善薄膜材料，在诸如Ar，He，N2等保护气体中使膜平整；(c)使玻璃衬底上形成的非晶硅层多晶化；(d)，对诸如BST(钛酸锶钡)、ST(钛酸锶)，Ta2O5之类的高介电常数薄膜快速热处理(RTP)退火，以改善这些材料的薄膜性能；(e)对WSi2，TiSi2，之类的膜快速热处理(RTP)退火，以降低这些材料的电阻率；(f)，对SiO2，PSG、BPSG，SiN，SiON之类的膜RTP退火，以使其平整和致密；(g)对诸如Y-1，BST之类的铁电介质膜RTP退火；(h)，活化掺杂离子；(i)，使硅衬底与反应气体反应，在硅衬底上形成诸如SiO2，SiON，SiO膜；和(j)，使SiO2膜表面氮化1到5A的极薄厚度。按本专利技术方法，能在整个晶片上获得均本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，其中在热壁型加热炉中，放置和加热单片晶片或多片晶片，其特征是，将多个相对放置的储热板（１０）预热到热处理温度，随后，将一片或相对的两片晶片（８）放入相对的储热板（１０）之间，以单片晶片或多片晶片的整个表面基本上 对着储热板的至少一部分的方式，使单片或多片晶片在所述热处理温度下迅速加热。

【技术特征摘要】
JP 1995-3-30 072846/95;JP 1995-6-29 163768/951.一种制造半导体器件的方法，其中在热壁型加热炉中，放置和加热单片晶片或多片晶片，其特征是，将多个相对放置的储热板(10)预热到热处理温度，随后，将一片或相对的两片晶片(8)放入相对的储热板(10)之间，以单片晶片或多片晶片的整个表面基本上对着储热板的至少一部分的方式，使单片或多片晶片在所述热处理温度下迅速加热。2.一种制造半导体器件的方法，其中在热壁型加热炉中放置和加热单片或多片晶片，其特征是把储热板(10)预热到热处理温度，每片晶片(8)与储热板(10)接触，储热板(10)基本覆盖晶片(8)的整个表面，或者晶片夹在紧靠储热板(10)的附近的位置，由此在所述热处理温度迅速热处理晶片(8)。3.按权利要求1或2的方法，其特征是，所述储热板(10)设置在使具有热处理温度的反应气体通向晶片(8)的孔(39)。4.一种制造半导体器件的方法，其中一片以上的晶片在装有加热器的热壁型加热炉内迅速被热处理，其特征是每片晶片(8)位于紧靠加热器(5)附近的位置，由此在所述热处理温度迅速热处理晶片(8)。5.按权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：高木干夫，
申请(专利权)人：株式会社FTL，
类型：发明
国别省市：JP[日本]