【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种退火技术，例如对半导体材料的大面积均匀有效地退火的技术。本专利技术也涉及一种在逐步改变照射能量密度时阻止受照区处理效率下降的技术。近年来，对降低制造半导体器件的处理温度已有广泛研究。这主要是由于在绝缘的基质，例如在一种价廉和易加工的玻璃基质上形成半导体器的需要。另外，对于形成精密的器件和多层器件的需要也促进了降低处理温度方面的研究。尤其是，一种在玻璃基质上形成半导体器件的技术需要生产一种构成有源矩阵液晶显示器件的平面显示板。这是一种使薄膜晶体管形成在玻璃基质上，得到一个大于几百乘几百的薄膜矩降结构。当把玻璃处于温度大于600℃的环境下，玻璃的形变，例如收缩和应变会非常明显。所以，在薄膜晶体管制造过程中的加热温度应该尽可能地低。为了获取具有优良电性质的晶体管，需要使用一种晶体的薄膜半导体。在众多的生产晶体硅膜的方法中，一种结晶技术是利用加热处理一种由等离子体CVD或低压加热至约500℃的已沉积的非晶硅膜进行结晶的技术。这种加热处理是把试样放在600℃或600℃以上的空气中加热几个小时。在这种加热处理中需要加热温度，例如是600℃，加热时间超过...
【技术保护点】
一种激光退火方法，包括下述步骤：使脉冲激光束成形为线性激光束：在对物体用激光束在一个方向进行相对扫描时把线性脉冲激光束作用至光照物体上。
【技术特征摘要】
JP 1995-2-2 37705/95;JP 1995-3-2 68670/951.一种激光退火方法。包括下述步骤使脉冲激光束成形为线性激光束在对物体用激光束在一个方向进行相对扫描时把线性脉冲激光束作用至光照物体上。2.根据权利要求1的激光退火方法，其特征是，激光束在扫描方向具有简正分布型能量分布。3.根据权利要求1的激光退火方法，其特征是，激光束在扫描方向具有梯形能量分布。4.一种激光退火方法，包括下列步骤使脉冲激光束成为线性激光束；以及在用激光对物体进行扫描时把线性脉冲激光束施加至光照物体，其中激光束以叠加方式施加，以多次光照物体上的任选点。5.一种激光退火方法，包括下述步骤使脉冲激光束成型为线性激光束在用激光束对物体扫描时把线性脉冲激光来作用至光照物体上，其中激光束以重叠方式作用，以此光照物体上的任意选择点3至100次。6.一种激光退火方法，包括下述步骤使脉冲激光束成为线性激光束在用激光束对物体进行扫描时把线性脉冲激光束作用至光照物体，其中激光束以叠加方式作用，以此光照物体上的任选点10至20次。7.根据权利要求4至6中任一项的激光退火方法，其特征是，激光束在扫描方向具有简正分布型的能量分布。8.根据权利要求4至6中任一项的激光退火方法，其特征是，激光束在扫描方向具有梯形能量分布。9.一种激光退火方法，包括下述步骤使脉冲激光束成为具有简正分布型能量分布或类似能量分布的线性激光束；在用激光束于一个方向相对物体进行扫描时，把线性脉冲激光束作用至光照物体上。10.一种激光退方法，包括下述步骤使脉冲激光束成形为具有梯形能量分布的线性激光束；在用激光束于一方向相对于物体进行扫描时把线性脉冲激光束作用至光照物体上。11.一种激光退火方法，包括下述步骤使脉冲激光束成形为在其宽度方向具有简正分布型能量分布或类似能量分布的线性激光束在宽度方向移动激光束时把线性脉冲激光束作用至光照区，其中激光束以叠加方式作用，以此光照在光照区上的任选点10至30次。在宽度方向移动激光束时把线性脉冲激光束作用至光照区，其中激光束以叠加方式作用，以此光照在光照区上的任选点10至30次。12.一种激光退火方法，包括下述步骤使脉冲激光束成形为在其宽度方向具有梯形能量分...
【专利技术属性】
技术研发人员：楠本直人，田中幸一郎，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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