一种准分子激光退火装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术的准分子激光退火装置，包括激光头和反射装置，激光头产生的激光光束照射基板形成入射光束和出射光束，在出射光束方向上设置反射装置，反射装置的反射面朝向基板。通过光路反射，充分利用了准分子激光的反射能量，对低温多晶硅的基板形成二次甚至多次照射，充分利用激光束的能量，使得多晶硅的基板产出耗时降低。进一步使得晶硅的结晶速率得以调整，可以形成更合理的结晶晶粒规格。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及低温多晶硅加工装置，具体涉及一种促使非晶硅转化为多晶硅的加工装置。
技术介绍
现有技术中，对低温多晶硅的退火工艺多采用准分子激光退火(ELA)，主要用于修复离子注入损伤的半导体材料(基板)，使其转化为合格的多晶硅。然而ELA设备的性能目前处在一种临界状态，基本没有几种参数可以改善ELA的多晶硅结晶效果和产能。准分子激光器最大输出功率一定，激光束最大可用长度受限于形成光束的光学系统，导致结晶所用时间和结晶晶粒大小受到了限制。受设备制造成本所限，导致激光器设备成为了产能的瓶颈，最大产能受限的同时，也使多晶硅的结晶效果受到限制。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种准分子激光退火装置，解决目前激光退火装置在结晶速率存在缺陷、产能较低的技术问题。本技术的准分子激光退火装置，包括激光头和反射装置，激光头产生的激光光束照射基板形成入射光束和出射光束，在出射光束方向上设置反射装置，反射装置的反射面朝向基板。还包括受控转动装置，使固定得所述反射装置，沿出射光束和入射光束形成的平面中移动。所述激光头还包括位于激光头主光轴起始位置的扩束透镜。所述反射装置为平面反射镜或凹面反射镜。所述平面反射镜的镜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种准分子激光退火装置，包括激光头(01)和反射装置(02)，激光头(01)产生的激光光束照射基板形成入射光束和出射光束，在出射光束方向上设置反射装置(02)，反射装置(02)的反射面朝向基板。

【技术特征摘要】
1.一种准分子激光退火装置，包括激光头(01)和反射装置(02)，激光头(01)产生的激光光束照射基板形成入射光束和出射光束，在出射光束方向上设置反射装置(02)，反射装置(02)的反射面朝向基板。2.如权利要求1所述的准分子激光退火装置，其特征在于：还包括受控转动装置(03)，使固定的所述反射装置(02)，沿出射光束和入射光束形成的平面中移动。3.如权利要求1所述的准分子激光退火装置，其特征在于：所述激光头(01)还包括位于激光头(01)主光轴起始位置的扩束透镜。4.如权利要求1至3任一所述的准分子激光退火装置，其特征在于：所述反射装置(02)为平面反射镜或凹面反射镜。5.如权利要求4所述的准分子激光退火装置，其特征在于：所述平面反射镜的镜面镀高反射膜。6.如权利要求4所述的准分子激光退火装置，其特征在于：所述凹面反射镜采用凹透镜，凹透镜的背面镀高反射膜。7.如权利要求1至3任一所述的准分子激光退火装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：李辉，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32