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制造半导体结构的一种优选的方法，包括改变一种外延基区双极晶体管（１０）的基区层（１７、２１）中多晶晶界（３８）的方向和使其位置最佳。通过淀积将形成较低的基区部分的基区层（１７）后对半导体结构进行退火，可以实现晶界（３８）的改变。改变晶界（３...
该专利属于摩托罗拉公司所有，仅供学习研究参考，未经过摩托罗拉公司授权不得商用。

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