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半导体器件制作工艺制造技术
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文档序号:3223046
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本发明金属腐蚀工艺消除了使用有机掩模层溶剂的必要性并在等离子金属腐蚀步骤之后用腐蚀液对部分隔离层(68、81)进行腐蚀。此腐蚀液可包括乙二醇、氢氟酸和氟化铵。腐蚀液对隔离层(68、81)的腐蚀范围为100-900A。腐蚀至少消除掉隔离层(6...
该专利属于摩托罗拉公司所有,仅供学习研究参考,未经过摩托罗拉公司授权不得商用。
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