【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，特别是涉及用来抑制由在其构成构件的内部产生的热应力所引起的性能劣化或可靠性降低的构成。以往，作为半导体器件，有的具有多层布线，在这样的半导体器件中，下层布线和上层布线通过已形成于层间绝缘膜上的接触孔而进行电连。附图说明图13是用来说明这样的半导体器件中的布线构造的说明图，图13(a)是平面图，图13(b)是其XIIIb-XIIIb线剖面图。在图中，250是已在硅衬底5上边形成的布线构造。该布线构造250具有沿第1方向D1延伸的、以与第1方向D1垂直的第2方向为布线宽度方向的下层布线(第1布线)1和沿该第1方向延伸的、已电连到该下层布线1上的上层布线(第2布线)2a、2b。即，在该硅衬底5上边介以基底绝缘膜6已形成了下层布线1，该下层布线1已用层间绝缘膜7覆盖起来。在层间绝缘膜7上边形成有上层布线(第2布线)2a、2b，该上层布线2a的顶端2a1通过已在该层间绝缘膜7上形成的接触孔7a连接到上述下层布线1的顶端1a上，该上层布线2b的顶端2b1通过在该层间绝缘膜7上形成的接触孔7b连接到了上述下层布线1的另一顶端1b上。在这里，作为上...
【技术保护点】
一种半导体器件，具备： 沿第１方向延伸且以与该第１方向垂直的第２方向为布线宽度方向的内部已产生了应力的第１布线；和 与该第１布线电连接，受该第１布线的应力影响的第２布线，其特征是 使上述第２布线的与上述第１布线相连的顶端弯曲成与和上述第１方向成规定角度的方向平行。
【技术特征摘要】
JP 1996-4-19 98266/961.一种半导体器件，具备沿第1方向延伸且以与该第1方向垂直的第2方向为布线宽度方向的内部已产生了应力的第1布线；和与该第1布线电连接，受该第1布线的应力影响的第2布线，其特征是使上述第2布线的与上述第1布线相连的顶端弯曲成与和上述第1方向成规定角度的方向平行。2.根据权利要求1的半导体器件，其特征是上述第2布线的与上述第1布线相连的顶端弯曲成与和上述第1方向垂直的第2方向平行。3.一种半导体器件，具备沿第1方向延伸且以与该第1方向垂直的第2方向为布线宽度方向的内部已产生了应力的第1布线；和与该第1布线电连接，受该第1布线的应力影响的第2布线，其特征是使上述第2布线的与上述第1布线相连的顶端配置为沿着上述第1布线且朝向该第1方向的内侧延伸。4.一种半导体器件，具备内部已产生了应力的第1布线；和与该第1布线电连接，受该第1布线的应力影响的第2布线，其特征是上述第1布线具有在其一部分上已形成的弯曲部分。5.根据权利要求4的半导体器件，其特征是把上述第1布线的除已与上述第2布线相连的顶端之外的本体，使之成为锯齿状的平面形状那样地，做成为在多个部位弯曲的构造。6.根据权利要求5的半导体器件，其特征是上述第1布线的本体仅用与除和上述第1方向垂直的方向之外的方向平行的斜布线部分，或者仅用该斜布线部分和与上述第1方向平行的布线部分构成。7.一种半导体器件，具备沿第1方向延伸且以与该第1方向垂直的第2方向为布线宽度方向的内部已产生了应力的第1布线；和与该第1布线电连接，受该第1布线的应力影响的第2布线，并把上述第1布线做成为将其全体分割成多个布线部分的构造，其特征是使上述第1布线的各个布线部分进行电连接，使之形成从该第1布线的一端侧到另一端侧的规定的电流路径。8.一种半导体器件，具备沿第1方向延伸且以与该第1方向垂直的第2方向为布线宽度方向的内部已产生了应力的第1布线；和与该第1布线电连接，受该第1布线的应力影响的第2布线，其特征是上述第1布线具有把与上述第2布线连接的顶端之外的本体的一部分切掉而形成的、与另一部分比，布线宽度狭窄的窄布线宽度部分。9.根据权利要求8的半导体器件，其特征是把上述狭窄布线宽度部分形成为在其布线路径的规定位置上，从其两侧上述第1布线本体切有切口。10.根据权利要求9的半导体器件，其特征是使上述窄布线部分的侧边和与上述第1方向垂直的方向之外的方向平行。11.根据权利要求8的半导体器件，其特征是把上述第1布线本体做成为下述构造分别具有至少一个把该本体从其一方的侧边一侧切除一部分而形成的第1窄布线宽度部分和把该本体从其另一方的侧边一侧切除一部分而形成的第2窄布线宽度部分。12.根据权利要求11的半导体器件，其特征是把上述第1、第2窄布线宽度部分的布线宽...
【专利技术属性】
技术研发人员：平野博茂，本多利行，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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