半导体发光器件及其制造方法技术

一种具有双异质结构的光发射层成型部包括一铝镓甸磷基化合物半导体的ｎ型包覆层，一激活层和一Ｐ型包覆层依次外延制作在ｎ型砷化镓基片上，Ｐ型包覆层的载流子浓度达１×１０↑［１６］到５×１０↑［１６］／立方厘米。Ｐ型铝镓砷化合物半导体的窗层生长在Ｐ型包覆层上，并再制作Ｐ侧和ｎ侧电极，当晶体生长时包覆层中的Ｐ型杂质向窗层的扩散被减少，从而元件的发光效率和亮度得到改善。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，以便改进发光效率，使之不仅可适用于高亮度光源，如户外显示，汽车尾灯、方向指示器等；而且还可适用于低功耗光源，如背光光源、仪表照明光源以及电池供电的便携式电器等。
技术介绍
常规发射可见光的半导体发光器件的结构已公开在如日本临时专利公开号NO.平4-212476，其中采用一个如图所示的铝镓铟磷基的半导体材料作为其发光层。即在图4中，在一n型砷化镓半导体基片11上外延生长出一层n型铝镓铟磷基半导体材料的n型包复层12，一层无掺杂铝镓铟磷基半导体材料的激活层13，一层P型铝镓铟磷基半导体材料的P型包复层14，以及一层铝镓砷基半导体材料的窗层(电流扩散层)。再通过砷化镓接触层16制作一上电极(P侧电极)17和在半导体基片的背部制作一下电极(N侧电极)18、并分别形成金铍镍合金和金锗镍合金，或相类似的合金。这种发光器件的结构是一种双异质结构，它将激活层13夹在两个包复层12，14之间，以将载流子限在其中。而二层铝镓铟磷基材料的包复层12，14和一层激活层13所构成的发光层成型部19是用它们的结晶混合比来加以选定的，以便提高其发光效率。同时，包复层12，14的载流子浓度是(5本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，其特征在于包括：一第一导电型的半导体芯片；一光发射层成型部是由一激活层被夹在一层ｎ型包复层和一层Ｐ型包复层之间而复盖在所说的半导体基片上制成；一第二导电型的窗层，设置在所说的光发射层成型部上；分别设置与所述窗层和所述半导体基片进行电连接的电极；及其中所说的Ｐ型包复层是制成载流子浓度为１×１０↑［１６］到５×１０↑［１６］／立方厘米。

【技术特征摘要】
JP 1996-5-30 136794/961.一种半导体发光器件，其特征在于包括一第一导电型的半导体芯片；一光发射层成型部是由一激活层被夹在一层n型包复层和一层P型包复层之间而复盖在所说的半导体基片上制成；一第二导电型的窗层，设置在所说的光发射层成型部上；分别设置与所述窗层和所述半导体基片进行电连接的电极；及其中所说的P型包复层是制成载流子浓度为1×1016到5×1016/立方厘米。2.一种如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于还包括P型第二包复层设置在所说P型包复层的与所说激活层相反的另一面上，采用与所说P型包复层的基材相同的材料作为半导体层而制成，并具有载流子浓度为5×1017到2×1018/立方厘米。3.一种如权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于其中所说光发射层成型部是由铝镓铟磷基化合物半导体作为叠层材料而制成，和用P型铝镓砷基化合物半导体的所说的窗层是通过用铝镓铟磷基化合物半导体的所说的P型第二包复层设置在所说的P型包复层上。4.一种如权利要求3所说的半导体发光器件，其特征在于其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部弘光，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]