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一种具有双异质结构的光发射层成型部包括一铝镓甸磷基化合物半导体的ｎ型包覆层，一激活层和一Ｐ型包覆层依次外延制作在ｎ型砷化镓基片上，Ｐ型包覆层的载流子浓度达１×１０↑［１６］到５×１０↑［１６］／立方厘米。Ｐ型铝镓砷化合物半导体的窗层生长在Ｐ...
该专利属于罗姆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。

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