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文档序号:3221255

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本发明是在强电介质存储器件中,可以缓和构成强电介质电容器110a1~110a3,110b1~110b3的下部电极111a,111b及该下部电极的热应力对在其上边形成的强电介质层113的影响,并以此来抑制连接到上述下部电极上的其它的布线106...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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