【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，特别是涉及强电介质存储器件中对特性离散和特性退化的改进。作为现有的半导体器件，已开发出了从例如已搭载有放大电路，振荡电路和电源电路等的规模比较小的集成电路，到作为微处理器或存储器件的大规模的集成电路的各种器件。特别是近些年来，作为非易失性存储器件的一种，人们提出了一种带有强电介质电容器的强电介质存储器件。上述强电介质电容器由相向的一对电极和由被夹在该两电极之间的强电介质材料构成的电介质层构成，对于上述两电极间的外加电压与强电介质材料的极化率之间的对应关系具有滞后特性。即，强电介质电容器的构成为即便是在电场(外加电压)为零的时候，在强电介质层内也会剩下与加电压的滞后现象相对应的极性的剩余极化，在上述强电介质存储器件中，采用用强电介质电容器的剩余极化来表示存储数据的办法，实现了存储数据的非易失性。在已经用了这种强电介质电容器的非易失性存储器件中，重要的课题是减少强电介质电容器的滞后特性的离散，且减少因使用滞后特性而产生的变动。以下进行具体的说明。附图说明图14～图16用来说明现有的强电介质存储器件。图14的平面图示出了该强电介质存储器件...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征是： 具备： 具有沿第１方向延伸且以与该第１方向垂直的第２方向为宽度方向的平面形状的第１电极； 被配置为与该第１电极相向、且具有上述第１方向上的尺寸和上述第２方向上的尺寸相等的平面形状、或者具有上述第１方向上的尺寸比上述第２方向上的尺寸短的平面形状的第２电极；以及 配置在上述第１电极与上述第２电极之间的强电介质层， 用上述第１、第２电极及该两电极间的强电介质层构成强电介质电容器。
【技术特征摘要】
JP 1996-4-19 98267/961.一种半导体器件，其特征是具备具有沿第1方向延伸且以与该第1方向垂直的第2方向为宽度方向的平面形状的第1电极；被配置为与该第1电极相向、且具有上述第1方向上的尺寸和上述第2方向上的尺寸相等的平面形状、或者具有上述第1方向上的尺寸比上述第2方向上的尺寸短的平面形状的第2电极；以及配置在上述第1电极与上述第2电极之间的强电介质层，用上述第1、第2电极及该两电极间的强电介质层构成强电介质电容器。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征是上述第2电极是使规定的导电性材料层刻制成图形而形成的电极，并沿上述第1方向排列多个，该相邻的第2电极的配置间隔为在上述导电性材料上可以形成的开口图形的最小尺寸。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征是上述第2电极的平面形状是多角形，且该第2电极的平面形状中的内角的大小都大于90度。4.一种半导体器件，其特征是具备具有沿第1方向延伸且以与该第1方向垂直的第2方向为宽度方向的平面形状的第1电极；位于与该第1电极相向、且沿上述第1方向和第2方向排列成矩阵状的多个第2电极；以及配置在上述第1电极与上述第2电极之间的强电介质层，用上述第1电极、强电介质层和多个第2电极构成多个强电介质电容器。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征是上述第2电极是具有上述第1方向上的尺寸和上述第2方向上的尺寸相等的平面形状、或者具有上述第1方向上的尺寸比上述第2方向上的尺寸短的平面形状。6.一种半导体器件，其特征是具备具有沿第1方向延伸且以与该第1方向垂直的第2方向为宽度方向的平面形状的第1电极；被配置为与该第1电极相向、且具有以第1方向和第2方向之间的方向为其长边方向的平面形状的第2电极；以及配置在上述第1电极与上述第2电极之间的强电介质层，用上述第1、第2电极及该两电极间的强电介质层构成强电介质电容器。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征是上述第2电极的平面形状是多角形，且该第2电极的平面形状中的内角的大小都大于90度。8.一种半导体器件，其特征是具备具有沿第1方向延伸且以与该第1方向垂直的第2方向为宽度方向的平面形状的第1电极；被配置为与该第1电极相向、且具有与和该第1电极的第1方向平行的第1侧边最邻近且相向的第1侧边以及与和该第1电极的第1方向平行的第2侧边最邻近且相向的第2侧边的第2电极；以及夹在上述第1电极和第2电极之间的强电介质层，而且，用上述第1、第2电极及该两电极间的强电介质层构成强电介质电容器，把上述第2电极的第1侧边的...
【专利技术属性】
技术研发人员：平野博茂，竹尾昌人，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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