薄膜晶体管的制造方法、使用该方法的液晶显示装置和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术为了提供一种可提高可靠性的非单晶硅薄膜晶体管的制造方法，故在已在玻璃基板１４上形成了基底ＳｉＯ↓［２］膜１５之后，在其上形成多晶硅层１７。其次，在完成多晶硅层１７的刻制成图形以后，用ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ法或ＴＥＯＳ－ＰＥＣＶＤ法形成栅ＳｉＯ↓［２］膜１８。然后，形成栅电极１９，以及借助于离子搀杂法形成源、漏区域２０、２０。而且，形成ＳｉＯ↓［２］层间绝缘膜２１，使接触孔２２开口后，形成由Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ膜构成的电极２３。而最后，进行温度３５０℃，退火时间３小时的湿退火。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种使用了适当的非单晶硅薄膜的薄膜晶体管的制造方法及使用该方法的液晶显示装置和电子设备，比如说，用作液晶显示装置等的驱动器件。迄今为止，活跃地不断进行使用非晶硅、多晶硅等的非单晶硅薄膜的薄膜晶体管的开发研究。这种技术，对于例如，可以采用便宜的绝缘基板实现薄型显示器的有源阵列板，或用便宜高性能的图象传感器等方面，预期有许多应用。这里，用附图说明图14说明现有的薄膜晶体管的制造方法的一个例子。还有，就薄膜晶体管来说，有两种薄膜晶体管，即形成源、漏区域的硅薄膜位于下侧、栅电极位于上侧的上栅极型薄膜晶体管和栅电极位于下侧、而硅薄膜位于上侧的下栅极型薄膜晶体管，但是在这里，举出以上栅极型薄膜晶体管为例进行说明。并且，下述的制造方法引自“Fabrication of Self-Aligned AluminumGete Polysilicon Thin-Film Using Low-Temperature CrystallizationProcess”，E.Ohno et al.；Jpn.J.Appl.Phys.Vol.33(1994)，pp.635～638。首先，如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应型晶体管的通过栅绝缘膜而与栅电极相对的沟道区域由非单晶硅薄膜构成的薄膜晶体管的制造方法，其特征是：上述栅绝缘膜由硅氧化膜构成，至少在形成上述栅绝缘膜以后，在含有水分的气氛下进行退火。

【技术特征摘要】
JP 1996-6-6 144642/961.一种场效应型晶体管的通过栅绝缘膜而与栅电极相对的沟道区域由非单晶硅薄膜构成的薄膜晶体管的制造方法，其特征是上述栅绝缘膜由硅氧化膜构成，至少在形成上述栅绝缘膜以后，在含有水分的气氛下进行退火。2.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是，具有在玻璃基板上形成由源、漏区域和沟道区域构成的非单晶硅薄膜的工序；介以由硅氧化膜构成的栅绝缘膜，形成与上述沟道区域对置的栅电极的工序；形成与上述源、漏区域连接的源、漏电极的工序；以及然后在含有水分的气氛下进行退火的工序。3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征是上述栅绝缘膜，采用ECR-PECVD法或TEOS-PECVD法形成。4.根据权利要求1至3任一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征是在温度300℃以上和时间1小时以上的条件下，进行在含有上述水分的气氛下的退火。5.根据权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征是具有形成由上述非单晶硅薄膜或覆盖上述栅电极的硅氧化膜构成的层间绝缘膜的工序；并在形成了该层间绝缘膜之后，在含有水分的气氛下进行退火。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征是上述层间绝缘膜是用TEOS-PECVD法形成的硅氧化膜。7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征是在上述玻璃基板上形成由硅氧化膜构成的基底绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：石黑英人，中泽尊史，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]