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本发明为了提供一种可提高可靠性的非单晶硅薄膜晶体管的制造方法，故在已在玻璃基板１４上形成了基底ＳｉＯ↓［２］膜１５之后，在其上形成多晶硅层１７。其次，在完成多晶硅层１７的刻制成图形以后，用ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ法或ＴＥＯＳ－ＰＥＣＶＤ法形成栅Ｓ...
该专利属于精工爱普生株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过精工爱普生株式会社授权不得商用。

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