【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有在半导体球状晶体中内置pn结等，设有一对电极的粒型球状半导体元件的半导体器件，还涉及可用于半导体光触媒、太阳能电池、显示屏或其他种种用途的半导体器件。
技术介绍
作为对太阳光等感光产生光感应电动势、靠该光感应电动势引起电化学反应这种半导体光触媒，可供作实用的有氧化钛(TiO2)、钛酸锶(SrTiO3)等金属氧化物半导体。众所周知，氧化钛还可用作光化学电池电极，在水中配置白金电极和氧化钛电极，用光照射氧化钛电极便发生水的电解。此外，还对金属氧化物半导体粉末携带白金等金属的光触媒、钛板单面形成氧化钛薄膜形成的电极进行研究。但氧化钛光触媒用于利用太阳光进行水的电解时，只能利用光光谱当中约410nm以下光谱，因而光电变换效率极低。作为能够进行水的电解、并能充分利用太阳光光谱的半导体光触媒和半导体电极的条件，必须有水电解电压(理论值1.23V)以上的光感应电动势，和半导体光触媒本身在电解液中不发生光溶解的化学稳定性等。氧化钛等金属氧化物半导体，由于能带间隙较大，因而有能够进行水的电解、在电解液中不被溶解这种长处，但有对于波长比约410nm长的光谱无...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括构成为独立粒子形状的球状半导体元件，它含有p型半导体或n型半导体的球状晶体；内置于该球状晶体表面或表面附近部分、与球状晶体共同起作用产生光感应电动势的光感应电动势发生部；在该光感应电动势发生部两侧并且在球状晶体表面相互隔离设置的至少1对电极。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，夹着球状晶体中心、至少部分相对配置某一极性电极和另一极性电极。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述光感应电动势发生部具有形成于所述球状晶体表面附近部分的扩散层，和该扩散层与半导体晶体之间的pn结。4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述光感应电动势发生部具有MIS结构，包含形成于所述球状晶体表面一部分上的绝缘被膜和形成于该绝缘被膜表面兼作某一极性电极的金属被膜。5.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述光感应电动势发生部具有肖特基势垒结构，包含形成于所述球状晶体表面一部分兼作某一极性电极的金属被膜。6.如权利要求3～5中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述球状半导体元件是一种靠所述光感应电动势发生部感光产生的光感应电动势，在所述电极和电解液之间引起电化学反应的半导体光触媒。7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，具有许多所述球状半导体元件，在电解液中通过球状半导体元件的光感应电动势发生部所产生的光感应电动势，各若干个球状半导体元件在电气串联连接的状态下运用。8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述球状晶体表面除电极以外部分形成具有光透过性防反射功能的绝缘被膜。9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘被膜表面形成与某一极性电极连接、具有光触媒功能的金属氧化物半导体制的光透过性被膜。10.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，在某一极性电极表面和所述绝缘被膜表面形成覆盖其一部分或全部的具有光触媒功能的金属氧化物半导体制的光透过性电极被膜。11.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，某一极性电极由形成于所述扩散层表面、与扩散层相对形成异质结、具有光触媒功能的金属氧化物半导体制的光透过性电极被膜所构成。12.如权利要求3～5中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述球状晶体由Si或SiGe半导体、GuAs或InP等III-V族化合物半导体、或是GuInSe2等黄铜矿系半导体制成。13.如权利要求3～5中任一项所述的半导体器件，其特征在于包括具有安放一个所述球状半导体元件的安放孔的透明壳体；部分插入安装在该安放孔两端部分、呈气密状封住的1对外部电极与球状半导体元件电极分别电连接的1对外部电极。14.如权利要求3～5中任一项所述的半导体器件，其特征在于包括多个所述球状半导体元件处于电气串联连接状态下排成一列的半导体元件阵列；具有安放该半导体元件阵列的安放孔的透明壳体；部分插入安装在该壳体安放孔的两端部分、呈气密状封住的1对外部电极与半导体元件阵列两端部分球状半导体元件电极分别电连接的1对外部电极。15.如权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述壳体平行地形成多个安放孔，各安放孔装有半导体元件阵列，在各安放孔两端部分设置1对外部电极。16.如权利要求3～5中任一项所述的半导体器件，其特征在于包括多个所述球状半导体元件处于电气串联连接状态下排成一列的半导体元件阵列；分别与该半导体元件阵列两端部分的球状半导...
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