用于集成电路平面化的粘性保护覆盖层制造技术

本发明专利技术涉及在制造集成电路中典型遇到的表面平面化，特别是在镶嵌和双镶嵌互连中遇到的铜导体和Ｔａ／ＴａＮ阻挡层的表面平面化。本发明专利技术描述了用于Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ互连的平面化方法，典型利用趋向位于较低表面形貌的区域中的粘性覆盖层，保护所述较低区域免受化学和机械作用组合的腐蚀。在一些实施例中，粘性覆盖层包含阻止从与粘性层接触的表面区域中去除铜的物质。这些物质可用是在其它添加剂中铜离子基本饱和的溶液，由此阻止了互连铜溶解进入保护覆盖层中。在本发明专利技术的一些实施例中，粘性覆盖层可以在腐蚀剂引入晶片表面之前添加，或者腐蚀剂和粘性覆盖层可以基本上同时典型地是在平面化过程中随晶片旋转引入。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在制作集成电路期间的表面平面化并涉及阻止凹陷的表面区域腐蚀的粘性保护覆盖层。更具体的，本专利技术涉及铜表面和钽/氮化钽阻挡层的平面化，并涉及助于平面化和减少碟形化(dishing)的粘性覆盖层的使用，碟形化通常在大的铜镶嵌和双镶嵌特征的平面化中发生。
技术介绍
增加集成电路(“IC”)的性能通常要求增加晶片上的元件密度和提高该IC执行其功能的速度。增加元件密度通常需要减少晶片上的导电槽和通孔(互连)的尺寸。然而，减少电流运输导体的横截面积会增加同一导电材料的电阻，使得电路特性变坏以及增加互连的放热。目前的IC技术通常使用钨(W)和铝(Al)互连和/或包含这些材料的合金。在Al和W这两者金属和它们的典型合金有足够应用在目前的器件中的电导率，但是下几代的IC优选使用更高电导率的材料。铜(Cu)属于首选的材料。尽管Cu和当前的IC互连材料相比具有更高电导率的优点，但它也有几个不利因素。Cu是非常容易扩散的污染物质，容易且广泛扩散穿过通常在IC制造中使用的其它材料，这样做会严重损害IC的性能。钽(Ta)和氮化钽(TaN)已经被确定作为可以在Cu淀积之前淀积的有前途的阻挡材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在制造集成电路互连中平面化金属表面的方法，包括：ａ）在所述金属表面上引入保护液体；和ｂ）横过所述金属表面分散所述保护液体；和ｃ）在所述金属表面上引入腐蚀溶液，在此所述保护液体的粘度超过所述腐蚀溶液的粘度，由此阻碍 了在由所述保护层占据的所述表面区域内的所述表面的腐蚀；和ｄ）腐蚀所述金属表面至平坦。

【技术特征摘要】
US 2001-1-23 09/768,4391.一种在制造集成电路互连中平面化金属表面的方法，包括a)在所述金属表面上引入保护液体；和b)横过所述金属表面分散所述保护液体；和c)在所述金属表面上引入腐蚀溶液，在此所述保护液体的粘度超过所述腐蚀溶液的粘度，由此阻碍了在由所述保护层占据的所述表面区域内的所述表面的腐蚀；和d)腐蚀所述金属表面至平坦。2.根据权利要求1的方法，其中所述保护液体缺乏能够腐蚀所述金属表面的氧化剂。3.根据权利要求2的方法，其中将所述保护液体引入到所述金属表面上的所述步骤是在足够量下以对所述金属表面的凹陷...

【专利技术属性】
技术研发人员：S穆克赫吉，D德贝尔，J莱维尔特，
申请(专利权)人：霍尼韦尔国际公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]