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本发明涉及在制造集成电路中典型遇到的表面平面化，特别是在镶嵌和双镶嵌互连中遇到的铜导体和Ｔａ／ＴａＮ阻挡层的表面平面化。本发明描述了用于Ｃｕ／Ｔａ／ＴａＮ互连的平面化方法，典型利用趋向位于较低表面形貌的区域中的粘性覆盖层，保护所述较低区域免...
该专利属于霍尼韦尔国际公司所有，仅供学习研究参考，未经过霍尼韦尔国际公司授权不得商用。

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