【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于一种半导体组件及其形成方法，特别是有关于一种具轻掺杂汲极的薄膜晶体管及其形成方法。
技术介绍
一般的半导体装置通常具有各种的电路来控制半导体装置的作用，而薄膜晶体管是电路当中不可或缺的组件之一。以液晶显示器为例，薄膜晶体管通常用来作为控制像素作用的开关，同时也应用于驱动电路的设计中。然而随着薄膜晶体管因信道长度缩短后，会产生一种热电子效应的现象，严重地影响了薄膜晶体管的操作。例如，位于薄膜晶体管的汲极区域邻近的强电场，通常会造成高漏电流的情形。为了抑制这些电场的大小，现有技术提出了轻掺杂汲极(lightly doped drain)结构、偏置的闸极结构(offset gate structure)与多闸极结构(multi-gate structure)。其中轻掺杂汲极技术，为半导体业界普遍用以减少薄膜晶体管的开启状态(on-state)的漏电流的应用。现有加入轻掺杂汲极区域设计的半导体组件，通常需要增加制造薄膜晶体管的屏蔽，增加了制程的复杂度与成本。而且，如果轻掺杂汲极离子植入的屏蔽失准(misalignment)情况存在时，薄膜晶体管信道(c...
【技术保护点】
一种形成半导体组件的方法，所述半导体组件包含一第一型薄膜晶体管及一第二型薄膜晶体管，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 提供一半导体底材，是具有一第一区域及一第二区域； 形成一闸极介电层在所述半导体底材上； 形成一导体层在所述闸极介电层上； 选择性地去除一部分的所述导体层，用以形成一第一闸极在所述第一区域对应的所述闸极介电层上，且所述导体层剩余的一部分实质上位于所述第二区域上方； 掺杂一第一导电型的一第一掺杂质在所述第一区域内； 形成一间隙壁在所述第一闸极的一侧壁； 掺杂所述第一导电型的一第二掺杂质在所述第一区域内，用以形成所述第一...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成半导体组件的方法，所述半导体组件包含一第一型薄膜晶体管及一第二型薄膜晶体管，其特征在于，所述方法包括以下步骤提供一半导体底材，是具有一第一区域及一第二区域；形成一闸极介电层在所述半导体底材上；形成一导体层在所述闸极介电层上；选择性地去除一部分的所述导体层，用以形成一第一闸极在所述第一区域对应的所述闸极介电层上，且所述导体层剩余的一部分实质上位于所述第二区域上方；掺杂一第一导电型的一第一掺杂质在所述第一区域内；形成一间隙壁在所述第一闸极的一侧壁；掺杂所述第一导电型的一第二掺杂质在所述第一区域内，用以形成所述第一型薄膜晶体管；形成一图案化光阻层在所述半导体底材上方，所述图案化光阻层定义一第二闸极在所述第二区域对应的所述导体层；利用所述图案化光阻层为罩幕，去除所述第二区域对应的所述导体层的一部份，用以形成所述第二闸极在所述第二区域对应的闸极介电层上；以及掺杂一第二导电型掺杂质在所述第二区域内，用以形成所述第二型薄膜晶体管。2.如权利要求1所述的方法，其进一步特征在于，选择性地去除所述部分的所述导体层用以形成所述第一闸极的步骤包含形成一光阻层在所述导体层上；图案化所述光阻层，使得所述光阻层定义所述第一闸极在所述第一区域对应的所述导体层；以及以所述光阻层为罩幕，蚀刻所述导体层用以暴露出所述闸极介电层，使得所述导体层的一第一部份形成所述第一闸极，且所述导体层的一第二部份实质上位于所述第二区域上方。3.如权利要求1所述的方法，其进一步特征在于，掺杂所述第一导电型的第一掺杂质的步骤包含以所述第一闸极为罩幕，离子植入一第一n型掺杂质在所述第一区域内，用以形成至少一轻掺杂区域。4.如权利要求3所述的方法，其进一步特征在于，掺杂所述第一导电型的第二掺杂质的步骤包含以所述第一闸极及所述间隙壁为罩幕，离子植入一第二n型掺杂质在所述第一区域内，用以形成至少一重掺杂区域，且所述重掺杂区域与所述轻掺杂区域一部分重叠。5.如权利要求1所述的方法，其进一步特征在于，所述第一导电型的第一掺杂质及所述第一导电型的第二掺杂质为两种掺杂质。6.如权利要求1所述的方法，其进一步特征在于，所述第一导电型的第一掺杂质及所述第一导电型的第二掺杂质为同一...
【专利技术属性】
技术研发人员：张世昌，蔡耀铭，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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