具有轻掺杂漏区/偏移区（LDD/OFFSET）结构的薄膜晶体管制造技术

一种薄膜晶体管（ＴＦＴ），包括轻掺杂漏区（ＬＤＤ）或偏移区，其中，薄膜晶体管形成为使得多晶硅衬底的主晶粒边界不位于ＬＤＤ区或偏移区。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到一种具有轻掺杂漏区(lightly doped drain)(LDD)的薄膜晶体管，特别是一种具有良好电气特性例如电流特性的轻掺杂漏(LDD)区的薄膜晶体管。
技术介绍
在使用多晶硅制造薄膜晶体管(TFT)的过程中，公知包含有源沟道区内的多晶硅的晶粒边界存在的键合缺陷(bonding trap)例如悬挂键(danglingbond)作用为电荷载流子的陷阱(trap)。因此，晶体颗粒的大小、大小均匀性、数量、位置和方向不仅对TFT特性如阈值电压、亚阈值斜率、电荷载流子迁移率、漏电流、和器件稳定性有着直接或间接的重大影响，而且对TFT的均匀性有重大影响，这主要取决于使用TFT制造有源矩阵显示器衬底的过程中晶粒的位置。根据晶体颗粒的大小、倾斜角θ、有源沟道的尺寸(长度(L)，宽度(W))以及每个TFT在衬底上的位置(图1A和图1B)，在一个显示器件的整个衬底上的TFT有源沟道区所包含的重要晶粒边界(下文中称之为“主”晶粒边界)数量可以相同或有所改变。如图1A和图1B所示，如果在晶体颗粒大小为Gs，有源沟道尺寸为L×W，倾角为θ的有源沟道区中所包含的“主”晶粒边界的数量中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管(TFT)，包括轻掺杂漏区(LDD)或偏移区，其中，薄膜晶体管形成为使得多晶硅衬底的主晶粒边界不位于LDD区或偏移区。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，包含LDD区或者偏移区的有源层的宽度比主晶粒边界之间的距离短。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，多晶硅衬底由连续横向固化(SLS)法形成。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管用于液晶显示器(LCD)或者有机电致发光(EL)器件。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，主晶粒边界垂直于薄膜晶体管的各有源沟道区之间的电流方向。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，主晶粒边界与薄膜晶体管的各有源沟道区之间的电流方向倾斜为-45°≤θ≤45°的角度。...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴志容，李基龙，朴惠香，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：